11月17日訊息，qualcomm高通今天宣布其最新旗艦晶元將採用三星10奈米finfet製程工藝打造。搭載這一處理器的終端產品將於明年上半年出貨。
高通方面表示，全新10奈米製程節點的採用，在提高驍龍835處理器效能的同時，將帶來更低的功耗，同時還能增加諸多全新功能。
今年10月，三星宣布率先在業界實現了10奈米finfet工藝的量產。與其上一代14奈米finfet工藝相比，三星10奈米工藝可以在減少高達30%的晶元尺寸的基礎上，同時實現效能提公升27%或高達40%的功耗降低。
除了效能提公升，驍龍835還支援最新的高通quick charge 4.0，它比此前的3.0標準又快了20%，只需15分鐘，就能充滿手機一半電量。
驍龍835作為820和821的後續產品，目前已經投入生產，預計搭載驍龍835的商用終端將於2023年上半年出貨，
而三星方面，按照以往的經驗來看，預計會在明年三月份的mwc展會上推出新一代的旗艦galaxy s8，從近期該機的**訊息來看，s8將有望首發搭載驍龍835處理器。
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