儲存器分為兩大類：ram(random access memory，任意位址訪問儲存器)和rom(read-only memory，唯讀儲存器)。
romread-only memory，唯讀儲存器。
微機的發展初期，bios都存在在rom中。rom的資料都是原產用特殊方法燒錄進去的。其中的內容只能讀不能改。
prom
programmable read-only memory，也稱為：one-time programmable (otp)rom，一次性可程式設計唯讀儲存器。
跟rom一樣，也是只能讀不能改，但跟rom區別在於：使用者可以用專用的程式設計器將自己的資料燒錄，但機會只有一次（one-time）
eprom
electrical programmable read only memory，可擦除可程式唯讀儲存器。
類似於prom，不同的是：eprom燒寫次數增加了，但燒寫的條件相比prom較為苛刻。
是一種斷電後仍能保留資料的計算機儲存晶元。它是一組浮柵電晶體，被乙個提供比電子電路中常見電壓更高電壓的電子器件分別程式設計。一旦變成完成後，eprom只能用強紫外線照射來擦除。
識別eprom，可以通過封裝頂部的矽片的透明視窗。這個視窗是用來擦除紫外線。可以將eprom的玻璃窗對準陽光直射一段時間就可以擦除。完成晶元擦除的操作要用到eprom擦除器。
eprom內資料的寫入要用專用的程式設計器，並且往晶元中寫內容時必須要加一定的程式設計電壓。
eprom的型號是以27開頭的。
eprom晶元在寫入資料後，還要用不透光的貼紙或膠布把視窗封住，以免受到周圍的紫外線照射而使資料被擦除。
eprom晶元在空白狀態時，內部的每乙個儲存單元的資料都為1，即高電平。
eeprom
electrically erasable programmable read only memory，帶電可擦可程式設計唯讀儲存器。
因為eprom操作的不便，後來出的主機板bios rom晶元大部分都採用eeprom。
跟eprom的區別主要在於擦除不需要借助其他裝置，寫入資料也是。
用電子訊號來修改其內容。
eeprom的擦除不需要借助於其它裝置，它是以電子訊號來修改其內容的，而且是以byte為最小修改單位，不必將資料全部洗掉才能寫入，徹底擺脫了eprom 的eraser和程式設計器的束縛。
因此目前的eeprom都是幾十千位元組到幾百千位元組的，很少有超過512k的。
eeprom在寫入資料時，仍要利用一定的程式設計電壓，此時，只需用廠商提供的專用重新整理程式就可以輕而易舉地改寫內容，所以，它屬於雙電壓晶元。flash
flash屬於廣義的eeprom(全稱是flash eeprom)，因為它也是電擦除的rom。但是為了區別於一般的按位元組為單位的擦寫的eeprom，我們都叫它flash。
flash做的改進就是擦除時不再以位元組為單位，而是以塊為單位，一次簡化了電路，資料密度更高，降低了成本。上m的rom一般都是flash。
flash分為nor flash和nand flash。
因為nor flash可以進行位元組定址，所以程式可以在nor flash中執行。由於nandflash引腳上覆用，因此讀取速度比nor flash慢一點，但是擦除和寫入速度比nor flash快很多。nand flash內部電路更簡單，因此資料密度大，體積小，成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12m的flash多是nor型的。
使用壽命上，nand flash的擦除次數是nor的數倍。而且nand flash可以標記壞塊，從而使軟體跳過壞塊。nor flash 一旦損壞便無法再用。
嵌入式系統多用乙個小容量的nor flash儲存引導**，用乙個大容量的nand flash存放檔案系統和核心。寫flash時為什麼需要先擦除？
flash 的程式設計原理都是只能將 1 寫為 0，而不能將 0 寫為 1。所以在 flash 程式設計之前，必須將對應的塊擦除，而擦除的過程就是把所有位都寫為 1 的過程，塊內的所有位元組變為 0xff。
flash和eeprom的最大區別是：flash按扇區操作，eeprom則按位元組操作 （二者定址方式不同）。
一般來說：
flash的電路結構較簡單，同樣容量佔晶元面積較小，成本自然比eeprom低，因而適合用作程式儲存器，eeprom則更多的用作非易失的資料儲存器。當然用flash做資料儲存器也行，但操作比eeprom麻煩的多，所以更「人性化」的mcu設計會整合flash和eeprom兩種非易失性儲存器，而廉價型設計往往只有flash，早期可電擦寫型mcu則都是eeprm結構，現在已基本上停產了。
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