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近幾年，不論在學術界還是工業界，nvm 都是比較前沿的技術。其實 nvm 一詞並不新，是因為 pm (或稱 scm) 這個與 nvm 有關的概念的出現，使得 nvm 這詞又 「火」 了一把。在近年的相關文獻中，nvm 也經常被和 pm (scm) 混用，讓人搞不清。本文捋一捋它們之間的關係。
準確來說，nvm (non-volatile memory) 指的是非易失的物理儲存介質，比如 nand flash、pcm、3d xpoint 等都算是 nvm，這些 nvm 可以做成 ssd 形式，也可以做成 pm (或稱 scm)。
nvm儲存介質|v
nand flash ---+
|+-- pcm ---+--> ssd
+--+ |
| +-- 3d xpoint ---+
v pm
(scm)
現在，pcm、3d xpoint 等新型的 nvm 也被用於製作 dimm 介面的記憶體條，被稱為 pm 或 scm。
其實 pm (persistent memory) 或者 scm (storage class memory) 基本為同義詞，指的是記憶體 dimm 介面的、可位元組定址的 nvm 裝置。新型的 nvm 儲存介質相對 nand flash 更容易做到細粒度讀寫，更適合做成可位元組定址 (byte-addressable) 的記憶體形式。並且，因為密度更大，基於新型 nvm 介質的 pm 可以做到 dram 記憶體條容量幾倍；也由於新型 nvm 介質還不及 dram 的效能，pm 的讀寫速度可能比 dram 記憶體條慢幾倍。
「非易失記憶體條」 其實並非近幾年才出現，很久之前就有基於 nand flash 的非易失型記憶體條 (一般被稱為 nvdimm)，不過這種 nvdimm 通常被做成 「電池 + flash+dram」 的形式：通電時，依然是依靠 dram 工作，斷電時才用電池電量將 dram 資料刷回 flash。flash 無法直接代替 dram 是是因為 flash 的讀寫粒度不一致，且存在寫前擦除、拷貝等要求，不利於直接進行細粒度訪問。這種設計就導致 nvdimm 只可能比一般 dram 記憶體條更貴，且不可能做的比 dram 記憶體有更大容量密度。
雖然容易有歧義，但近年依然有很多文獻稱基於 pm 或 scm 為 nvm。因此閱讀文獻時我們可以認為：狹義上，nvm 可以指 flash、pcm 等儲存介質；廣義上，nvm 也可以指 scm、pm 等儲存裝置，其實早年間，也有稱 ssd 為 nvm 的。
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