如何使FRAM MCU速度更快所需功耗最低

2022-06-05 13:24:07 字數 838 閱讀 7660

採用fram的mcu為何就能具有諸多優勢呢?舉例說明:ti做了乙個實驗,如果要寫13kbps的資料到dram裡需要花1秒時間,大約要用2200ua的功耗去做寫的功能,但如果用fram來做只要10ms、9ua就可以把資料寫完。通過比較可以看到,如果要寫很多資料到flash等傳統儲存器裡,fram速度會更快而所需功耗卻最低。

從擦寫資料次數來看,一般儲存器寫一萬來次就到了極限,可fram可以在寫了10次方後仍可繼續進行擦寫操作。由於fram速度和sdram寫的速度差不多相同,在整個mcu架構裡,ti做了整體化的類選,就是說放16個fram在1個mcu裡,這時候fram可以當sdram使用,也可以充當flash以及eeprom去使用,這樣整體儲存器用起來效率更高,使用更方便,這是乙個全新的mcu儲存技術。

在應用層上fram適用於什麼地方呢?應用在感測器上fram的優勢可明顯體現出來,fram可快速將感測器得到的資料記錄下來,如果用flash來做就會資料寫的時間很長,感測器資料讀完後再寫,反覆間斷性讀寫動作使每個資料點都是分開的,無法做到資料讀寫的連續性。在射頻的應用上,flash因速度的限制會使功耗上公升的很高。如果用fram讀取與傳輸都是在同步高速進行,節省時間的同時也讓功耗大幅降低。

如在感測器資料記錄上,其它儲存介質由於功耗的原因而對感測器的安放地點要有所限制,增加了維護成本。而採用fram的mcu通過能量收集技術,使得能在更多的位置安放更多的感測器。

由於目前mcu儲存介質大都採用flash,所以fram針對記憶體flash的優勢自然被ti視為第一比較物件。如有限的資料更新/寫入速度與連續且可靠的監視、儲存和rf傳輸;選擇性監視與連續監視;消耗長達1個月的電池壽命與耗用不到6小時的電池壽命:資料塊級擦除及程式設計與位級訪問;需要冗餘(映象)儲存塊與可在電源丟失的情況下保證寫入操作等。

如何使FRAM MCU速度更快所需功耗最低

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