SRAM的基礎模組存有三種情況

2022-06-05 16:24:13 字數 494 閱讀 7703

sram是隨機訪問儲存器的一種。「靜態」是指這種儲存器只要保持通電,裡面儲存的資料就可以恆常保持。sram不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料。sram功耗取決於它的訪問頻率。如果用高頻率訪問sram,其功耗比dram大得多。有的sram在全頻寬時功耗達到幾個瓦特量級。另一方面,sram如果用於溫和的時鐘頻率的微處理器,其功耗將非常小,在空閒狀態時功耗可以忽略不計—幾個微瓦特級別。本篇內容要介紹的是關於sram的基礎模組存有三種情況:standby(空餘),read(讀)和write(寫)。

第一種情況:standby

假如wl沒有選為上拉電阻,那麼m5和m62個做為操縱用的晶體三極體處在短路情況,也就是基礎模組與基準線bl防護。而m1-m4構成的2個反相器持續保持其情況。

第三種情況:write

寫週期時間剛開始,最先把要載入的情況載入及時線bl,假定要載入0,那麼就設定bl為0且bl#為1。隨後,wl設定為上拉電阻,這般,基準線的情況就被載入sram晶元的基礎模組了。深入分析全過程,能夠自身畫一下。

SRAM的基礎模組存有三種情況

sram是隨機訪問儲存器的一種。靜態 是指這種儲存器只要保持通電,裡面儲存的資料就可以恆常保持。sram不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料。sram功耗取決於它的訪問頻率。如果用高頻率訪問sram,其功耗比dram大得多。有的sram在全頻寬時功耗達到幾個瓦特量級。另一方面,sram如果用於...

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