s3c6410儲存器對映

2022-07-31 23:42:22 字數 1817 閱讀 5089

1.引導映象區 0x0000_0000~0x07ff_ffff

2.內部儲存區

(1) 內部rom 0x0800_0000~0x0bff_ffff

(2) 內部sram 0x0c00_0000~0x0fff_ffff

3.靜態儲存區 0x1000_0000~0x3fff_ffff

4.動態儲存區 0x4000_0000~0x6fff_ffff

s3c6410的物理記憶體分成memory和pheriperal兩部分,位址範圍分別為0x0~0x6fffffff和0x7fffffff。系統通過spine匯流排訪問memory空間,通過peri匯流排訪問pheriperal空間。而為了適應不同外設的訪問速度,又分別通過ahb匯流排訪問lcd、camera、accelerator等高速外設,通過apb匯流排訪問iic、watchdog等低速外設。

3.2記憶體

memory,又叫主記憶體,分為4大區域,分別是啟動映象區、內部記憶體區、靜態記憶體區、動態記憶體區。

啟動映象區實體地址為0x00000000~0x07ffffff,共128mb。這個區域的作用正如它的名字所述,是用來啟動系統的。但是這個範圍內並沒有實際的儲存介質與之對應,只能在通過om[4:0]選擇具體的啟動介質後再把相應介質的物理位址對映到這個啟動區,比如說選擇了irom啟動方式後,就把irom所佔的位址空間對映為0x00000000開始的空間。

內部記憶體區實體地址為0x08000000~0x0fffffff,共128mb。這個區域對應著內部的記憶體位址,內部的rom和sram都是分布在這個

區間。其中,0x08000000~0x0bffffff對應著內部rom,當然實際上內部的rom也並沒有64mb這麼多,只有32kb是有實際儲存介

質的,這32kb是乙個唯讀區,放的是irom方式下的啟動**,選擇irom啟動的時候首先執行的

**就是這一部分,稱為bl0,這部分**由廠家固化。0x0c000000~0x0fffffff對應內部sram,實際可用的sram按照三星的手冊

是4kb,其實這就是用於nand

flash啟動的steppingstone(但是這個steppingstone是8kb,這2者似乎有矛盾,不知道是不是我的理解不對)。

靜態記憶體區實體地址為0x10000000~0x3fffffff,共6*128mb。這個區域用於訪問掛在外部匯流排上的裝置,比如說sram、nor

flash、onenand等。這個區域被分割為6個bank,每個bank為128mb,資料寬度最大支援16bit,每個bank通過xm0cs[5:0]來劃定。和s3c2410不

一樣的是,bank2~bank5能對映到nand

flash、cf等非線性儲存器,這並不是說可以通過bank2~bank5的位址段就能直接訪問nand

flash、cf內部的位址,相反,當對映到這些器件的時候這些bank的位址也不能再使用了,訪問這些非線性儲存器還是得通過pheriperal空間

的ahb匯流排進行,和s3c2410中的訪問方式是一樣的。不過有乙個特例是,當xm0cs2被對映到nand

flash的時候,steppingstone的4kb(or 8k?)sram被對映到bank2開始的4kb,而在以nand

flash方式啟動的時候bank2被對映到0x00000000開始的地方,實際上就是把steppingstone對映到0x0000000了,這和s3c2410的情況還是相似的。

動態記憶體區實體地址為0x40000000~0x6fffffff,共3*256mb。其中第乙個256mb為保留區,實際使用的動態記憶體區為0x50000000~0x6fffffff,又分為2個區間,分別佔256mb,可以通過dmc的xm1cs[1:0]來進行著2個區間的選擇。這個內

存區主要是擴充套件dram,最大可以擴充套件512mb的dram。

s3c6410儲存器對映

1.引導映象區 0x0000 0000 0x07ff ffff 2.內部儲存區 1 內部rom 0x0800 0000 0x0bff ffff 2 內部sram 0x0c00 0000 0x0fff ffff 3.靜態儲存區 0x1000 0000 0x3fff ffff 4.動態儲存區 0x400...

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