MOS管基本構造和工作原理

2022-08-01 15:39:12 字數 587 閱讀 7484

(一)

(二)(三)

如下圖,如果在門極和襯底之間加垂直電場(注意這個電場並不能在門極和襯底之間形成電流,原因是門極和襯底之間有一層二氧化矽),這個電場會把n型半導體中的多子(空穴)往下推,會把p型半導體中的少子(自由電子)往上吸,這樣就會形成左邊箭頭指的反型層,相當於在兩口井之間形成導電溝道,這個溝道把兩口井連在了一起,這個時候如果再在漏源(d-s)之間加電場,就導電了。

源極和襯底之間預設是連線的。

n溝道p型襯底

p溝道n型襯底

符號記憶方法:箭頭方向是內電場方向(非外加電場),外加電場與內電場方向相反。

MOS管基本構造和工作原理

一 二 三 如下圖,如果在門極和襯底之間加垂直電場 注意這個電場並不能在門極和襯底之間形成電流,原因是門極和襯底之間有一層二氧化矽 這個電場會把n型半導體中的多子 空穴 往下推,會把p型半導體中的少子 自由電子 往上吸,這樣就會形成左邊箭頭指的反型層,相當於在兩口井之間形成導電溝道,這個溝道把兩口井...

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