rom(read only memory)和ram(random access memory)指的都是半導體儲存器，rom在系統停止供電的時候仍然可以保持資料，而ram通常是在掉電之後就丟失資料，典型的ram就是計算機的記憶體。
rom有很多種，prom是可程式設計的rom，它和eprom(可擦除可程式設計rom)的區別是，prom是一次性的，也就是軟體灌入後，就無法修改了，這是早期的產品，現在已經不再使用，而eprom是通過紫外光的照射擦出原先的程式的一種通用儲存器。另外一種eeprom是通過電子擦除，**很高，寫入時間很長，寫入慢。
舉個例子，手機軟體一般放在eeprom中，我們打**，有些最後撥打的號碼，暫時存在sram中，不是馬上寫入聯絡歷史(聯絡歷史儲存在eeprom中)，因為當時有很重要工作(通話)要做，如果寫入，漫長的等待使用者無法忍受。
ram有兩大類，一種稱為靜態ram(static ram/sram)，sram速度非常快，是目前讀寫最快的儲存裝置了，它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如cpu的一級緩衝，二級緩衝。
另一種稱為動態ram(dynamic ram/dram)，dram保留資料的時間很短，速度也比sram慢，不過它還是比任何的rom都要快，但從**上來說dram相比sram要便宜很多，計算機記憶體就是dram的。
dram分為很多種，常見的主要有fpram/fastpage、edoram、sdram、ddr ram、rdram、sgram以及wram等，這裡介紹其中的一種ddr ram。
ddr ram(date-rate ram)也稱作ddr sdram，這種改進型的ram和sdram是基本一樣的，不同之處在於它可以在乙個時鐘讀寫兩次資料，這樣就使得資料傳輸速度加倍了。
這是目前電腦中用得最多的記憶體，而且它有著成本優勢，擊敗了intel的另外一種記憶體標準-rambus dram。在很多高階的顯示卡上，也配備了高速ddr ram來提高頻寬，這可以大幅度提高3d加速卡的畫素渲染能力。
記憶體工作原理簡析
記憶體是用來存放當前正在使用的(即執行中)的資料和程式，我們平常所提到的計算機的記憶體指的是動態記憶體(即dram)，動態記憶體中所謂的「動態」，指的是當我們將資料寫入dram後，經過一段時間，資料會丟失，因此需要乙個額外設電路進行記憶體重新整理操作。
具體的工作過程是這樣的：乙個dram的儲存單元儲存的是0還是1取決於電容是否有電荷，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，這就是資料丟失的原因;
重新整理操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1/2，則認為其代表1，並把電容充滿電; 若電量小於1/2，則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保持資料的連續性。
nand flash和nor flash的比較
常用的flash型別有：nor flash和nand flash兩種。nor flash由intel公司在2023年發明，以替代當時在市場上佔據主要地位的eprom和eeprom。nandflash由toshiba公司在2023年發明。兩者的主要差別如下表所示。
nornand
容量1~32mb
16~512mb
xipyes
no效能
擦除非常慢(5s)
快(3ms)寫慢
快讀快快
可靠性比較高，位反轉的比例小於nand flash 的10％
比較低：，位反轉比較常見，必需有校驗措施，比如「1-4 bit edc/ecc」；必須有壞塊管理措施
可擦除次數
10000~100000
100000~1000000
生命週期
低於nand flash的10％
是nor flash的10倍以上
介面與ram介面相同
i/o介面
訪問方法
隨機訪問
順序訪問
易用性容易
複雜主要用途
常用於儲存**和關鍵資料
用於儲存資料**高
低nor/nand flash的差別
nor flash支援xip，即**可以直接在nor flash上執行，無需拷貝到記憶體中。這是由於nor flash的介面與ram完全相同，可以隨機訪問任意位址的資料。在nor flash上進行讀操作的效率非常高，但是擦除和寫操作的效率很低；另外，nor flash的容量一般比較小。
nand flash進行擦除和寫操作的效率更高，並且容量更大。一般而言，nor flash用於儲存程式，nand flash用於儲存資料。基於nand flash的裝置通常也要搭配nor flash以儲存程式。
flash儲存器件由擦除單元(也稱為塊)組成，當要寫某個塊時，需要確保這個塊已經被擦除。nor flash的塊大小範圍為64kb～128kb；nand flash的塊大小範圍為8kb～64kb，擦/寫乙個nor flash塊需4s，而擦/寫乙個nand flash塊僅需2ms。
nor flash的塊太大，不僅增加了擦寫時間，對於給定的寫操作，nor flash也需要更多的擦除操作——特別是小檔案，比如乙個檔案只有1kb，但是為了儲存它卻需要擦除大小為64kb～128kb的nor flash塊。
nor flash的介面與ram完全相同，可以隨意訪問任意位址的資料。而nand flash的介面僅僅包含幾個i/o引腳，需要序列地訪問。nand flash一般以512位元組為單位進行讀寫。這使得nor flash適合於執行程式，而nand flash更適合於儲存資料。
容量相同的情況下，nand flash的體積更小，對於空間有嚴格要求的系統，nand flash可以節省更多空間。市場上nor flash的容量通常為1~4mb(也有32mb的nor flash)，nandflash的容量為8~512mb。容量的差別也使得nor flash多用於儲存程式，nand flash多用於儲存資料。
對於flash儲存器件的可靠性需要考慮3點：位反轉、壞塊和可擦除次數。所有flash器件都遭遇位反轉的問題：由於flash固有的電器特性，在讀寫資料過程中，偶然會產生一位或幾位資料錯誤——這種概率很低，而nand flash出現的概率遠大於nor flash。當位反**生在關鍵的**、資料上時，有可能導致系統崩潰。
當僅僅是報告位反轉，重新讀取即可；如果確實發生了位反轉，則必須有相應的錯誤檢測/恢復措施。在nand flash上發生位反轉的概率更高，推薦使用edc/ecc進行錯誤檢測和恢復。
nand flash上面會有壞塊隨機分布，在使用前需要將壞塊掃瞄出來，確保不再使用它們，否則會使產品含有嚴重的故障。nand flash每塊的可擦除次數通常在100000次左右，是nor flash的10倍。另外，因為nand flash的塊大小通常是nor flash的1/8，所以nand flash的壽命遠遠超過nor flash。
linux對nor、nand flash的軟體支援都很成熟。在nor flash上常用jffs2檔案系統，而在nand flash上常用yaffs檔案系統。在更底層，有mtd驅動程式實現對它們的讀、寫、擦除操作，它也實現了edc/ecc校驗。
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