三星成功流片3nm GAA晶元 效能優於台積電

2022-10-07 10:18:07 字數 552 閱讀 5497

程式設計客棧(www.cppcns.com) 6月30日訊息:日前三星宣布,與synopsys合作的採用gaa架構的3nmfykpdsa製程技術已經正式流片。

據介紹,三星的3nm製程採用的是gaa架構,效能優於台積電的3nm finfet架構。三星在3nm製程的流片進度與新思科技合作完成,目的在於加速為gaa架構的生產流程提供高度優化的參考方法。三星的3nm製程採用不同程式設計客棧於台積電或英特爾所採用的finfet的架構,採用g結構。因此,三星採用了新思科技的fusion design platform。

據三星的說法,與5nm製造工藝fykpdsa相比,3nm gaa技術的邏輯面積效率提高了35%以上,功耗降低了50%,效能提高了約30%。

三星代工設計技術團隊副總裁sangyun kim表示:「三星代工是推動下一階段行業創新的核心,我們不斷進行基於工藝技術fykpdsa的發展,以滿足專業和廣泛市場應用不斷增長的需求。我們最新的、先進的3nm gaa工藝受益於我們與synopsys的廣泛合作,fusion design platform加速準備以有效實現3nm工藝的承諾,證明了這些關鍵聯盟的重要性和好處。」

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