nor flash
nand flash
onenand flash
位址線和資料線分開
,介面時序同
sram,
易使用 位址/
資料線復用，資料位較窄
onenand
可看作nor
和nand
技術的一種混合。從本質上來講，乙個單獨的
onenand
晶元整合了乙個
nor快閃儲存器介面，
nand
快閃儲存器控制器邏輯、乙個
nand
快閃儲存器陣列，以及高達
5 kb
的緩衝ram。
onenand
具備nor
和nand
的優點，
它能勝任**和海量資料儲存，同時效率更高。
讀寫單位 以
「字」為基本單位以「
塊」為基本單位
,要修改
nand
晶元中乙個位元組，必須重寫整個資料塊
讀取速度 快
較慢擦除速度
慢，以64-128kb
的塊為單位
快，以8－
32kb
的塊為單位
寫入速度 慢
(因為一般要先擦除)
快 訪問方式
隨機訪問速度較快，支援
xip(execute in place
，晶元內執行，
應用程式可以直接在
flash
快閃儲存器內執行，不必再把**讀到系統
ram中)。
順序讀取速度較快，隨機訪問速度慢
單片容量
較小，1－
32mb
較大，8－
128mb
，提高了單元密度
應用場合
適用於**儲存，在嵌入式系統中，常用於存放引導程式、根檔案系統等。
適用於資料儲存
(如大容量的多**應用
)。在嵌入式系統中，常用於存放使用者檔案系統等。 共性
先擦後寫
(先將晶元中對應的內容清空，然後再寫入
)參考：
NOR與NAND快閃儲存器對比
基於 nor 的 flash 技術比較早，它支援較高的讀效能，但以降低容量為代價。nand flash 提供更大容量的同時實現快速的寫擦效能。nand 還需要更複雜的輸入 輸出 i o 介面。大多數情況下快閃儲存器只是用來儲存少量的 這時nor快閃儲存器更適合一些 而nand則是高資料儲存密度的理想...
NOR型快閃儲存器與NAND型快閃儲存器的區別
分類 1 快閃儲存器晶元讀寫的基本單位不同 應用程式對nor晶元操作以 字 為基本單位。為了方便對大容量nor快閃儲存器的管理，通常將nor快閃儲存器分成大小為128kb或者64kb的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移。應用程式對nand晶元操作是以 塊 為基本單位。...
NOR型快閃儲存器與NAND型快閃儲存器的區別
分類 1 快閃儲存器晶元讀寫的基本單位不同 應用程式對nor晶元操作以 字 為基本單位。為了方便對大容量nor快閃儲存器的管理，通常將nor快閃儲存器分成大小為128kb或者64kb的邏輯塊，有時候塊內還分成扇區。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內偏移。應用程式對nand晶元操作是以 塊 為基本單位。...