NOR與NAND快閃儲存器對比

基於 nor 的 flash 技術比較早，它支援較高的讀效能，但以降低容量為代價。

nand flash 提供更大容量的同時實現快速的寫擦效能。nand 還需要更複雜的輸入/輸出（i/o）介面。大多數情況下快閃儲存器只是用來儲存少量的**,這時nor快閃儲存器更適合一些；而nand則是高資料儲存密度的理想解決方案。

nor的特點是晶元內執行(xip, execute in place),這樣應用程式可以直接在flash快閃儲存器內執行,不必再把**讀到系統ram中。 nor的傳輸效率很高,在1～4mb的小容量時具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的效能。

nand結構能提供極高的單元密度,可以達到高儲存密度,並且寫入和擦除的速度也很快。應用nand的困難在於flash的管理和需要特殊的系統介面。

1 效能比較

任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內進行，所以大多數情況下，在進行寫入操作之前必須先執行擦除。nand器件執行擦除操作是十分簡單的，而nor則要求在進行擦除前先要將目標塊內所有的位都寫為0。

由於擦除nor器件時是以64～128kb的塊進行的，執行乙個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除nand器件是以8～32kb的塊進行的，執行相同的操作最多隻需要4ms。總體來說，對於nor器件和nand器件，基本上有以下結論：

(1)nor的讀速度比nand稍快一些。

(2)nand的寫入速度比nor快很多。

(3)nand的4ms擦除速度遠比nor的5s快。

(4)大多數寫入操作需要先進行擦除操作。

(5)nand的擦除單元更小，相應的擦除電路更少。

2 介面差別

nor flash帶有sram介面，有足夠的位址引腳來定址，可以很容易地訪問其內部的每乙個位元組。

nand器件使用複雜的i/o口來序列地訪問資料。8個引腳用來傳送控制、位址和資料資訊。nand讀和寫操作採用512位元組的塊，基於nand的儲存器可以取代硬碟或其他塊裝置。

3 容量和成本

nor flash佔據了小快閃儲存器（不足100mb）市場的大部分，而nand flash則是傾向於大快閃儲存器（100mb至幾百mb甚至gb），這也說明nor主要應用在**儲存介質中,nand適合於資料儲存。nand結構可以在給定的模具尺寸內提供更高的容量,也就相應地降低了**。

4 可靠性和耐用性

可以從壽命(耐用性)、位反轉和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的可靠性。

nor快閃儲存器只有約10萬次的擦寫次數，很少位反轉問題，沒有壞塊處理問題；nand快閃儲存器則有100萬次的擦寫次數，但是有較高的bit位反轉問題，需要通過錯誤探測/錯誤更正(edc/ecc)演算法來糾正資料，nand快閃儲存器的壞塊是隨機分布的，需要通過標記壞塊來做處理。

5 軟體支援

在nor器件上執行**不需要任何的軟體支援，在nand器件上進行同樣操作時，通常需要驅動程式，也就是記憶體技術驅動程式(mtd)，nand和nor器件在進行寫入和擦除操作時都需要mtd。