許多人對快閃儲存器的slc和mlc區分不清。就拿目前熱銷的***隨身聽來說，是買slc還是mlc快閃儲存器晶元的呢？在這裡先告訴大家，如果你對容量要求不高，但是對機器質量、資料的安全性、機器壽命等方面要求較高，那麼slc快閃儲存器晶元的首選。但是大容量的slc快閃儲存器晶元成本要比mlc快閃儲存器晶元高很多，所以目前2g以上的大容量，低**的***多是採用mlc快閃儲存器晶元。大容量、低**的mlc快閃儲存器自然是受大家的青睞，但是其固有的缺點，也不得不讓我們考慮一番。
什麼是slc？
slc英文全稱(single level cell——slc)即單層式儲存 。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。
slc技術特點是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入資料時通過對浮置閘極的電荷加電壓，然後透過源極，即可將所儲存的電荷消除，通過這樣的方式，便可儲存1個資訊單元，這種技術能提供快速的程式程式設計與讀取，不過此技術受限於silicon efficiency的問題，必須要由較先進的流程強化技術(process enhancements)，才能向上提公升slc製程技術。
什麼是mlc？
mlc英文全稱（multi level cell——mlc)即多層式儲存。主要由東芝、renesas、三星使用。
英特爾（intel）在2023年9月最先開發成功mlc，其作用是將兩個單位的資訊存入乙個floating gate（快閃儲存器儲存單元中存放電荷的部分），然後利用不同電位（level）的電荷，通過記憶體儲存的電壓控制精準讀寫。mlc通過使用大量的電壓等級，每乙個單元儲存兩位資料，資料密度比較大。slc架構是0和1兩個值，而mlc架構可以一次儲存4個以上的值，因此，mlc架構可以有比較好的儲存密度。
與slc比較mlc的優勢：
簽於目前市場主要以slc和mlc儲存為主，我們多了解下slc和mlc儲存。slc架構是0和1兩個值，而mlc架構可以一次儲存4個以上的值，因此mlc架構的儲存密度較高，並且可以利用老舊的生產程備來提高產品的容量，無須額外投資生產裝置，擁有成本與良率的優勢。
與slc相比較，mlc生產成本較低，容量大。如果經過改進，mlc的讀寫效能應該還可以進一步提公升。
與slc比較mlc的缺點：
mlc架構有許多缺點，首先是使用壽命較短，slc架構可以訪問10萬次，而mlc架構只能承受約1萬次的訪問。
其次就是訪問速度慢，在目前技術條件下，mlc晶元理論速度只能達到2mb左右。slc架構比mlc架構要快速三倍以上。
再者，mlc能耗比slc高，在相同使用條件下比slc要多15%左右的電流消耗。
雖然與slc相比，mlc缺點很多，但在單顆晶元容量方面，目前mlc還是佔了絕對的優勢。由於mlc架構和成本都具有絕對優勢，能滿足未來2gb、4gb、8gb甚至更大容量的市場需求。
slc與mlc的識別：
一、看傳輸速度
比如有兩款採用rockchip晶元的產品，測試時寫入速度有2、3倍優勢的應該是slc，而速度上稍慢的則是mlc。即使同樣採用了usb2.0高速介面的***，也不能改變mlc寫入慢的缺點。
二、看flash型號
一般來說，以k9g或k9l為開頭型號的三星快閃儲存器則是mlc，以hyuu或hyuv為開頭型號的現代快閃儲存器應是mlc。具體晶元編號以三星和現代為例：三星mlc晶元編號為：k9g****** k9l*****。現代mlc晶元編號為：hyuu**** hyuv***
飛凌的開發板目前採用了mlc和slc兩種型別，
mlc的有 k9gag08u0d，k9g8g08u0a,均為三星的nandflash
slc的有三星的 k9f2g08u0b,和現代的 hy27uf082gb 兩種型別。
簡單總結：
如果說mlc是一種新興的快閃儲存器技術，那麼它的「新」就只體現在：成本低！
雖然mlc的各項指標都落後於slc快閃儲存器。但是mlc在架構上取勝slc，mlc肯定是今後的發展方向，而對於mlc傳輸速度和讀寫次數的問題已經有了相當多的解決方法，例如採用三星主控晶元，wear leveling技術，4bit ecc校驗技術，都可以在採用mlc晶元的時候同樣獲得很好的使用效果，其效能和使用slc晶元的沒有什麼差別，而會節省相當多的成本.
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