1、頁讀
如下所示，先輸入讀命令 0x00 ，然後輸入5個位址，分為2個列位址（頁內位址）和3個行位址（頁和block位址），再輸入讀確認位址0x30，nand硬體會自動從指定的頁的主儲存區讀資料到頁快取（頁暫存器），此時r/b#為低電平，當內部讀完成後，
r/b# 恢復為高電平，此時便可以通過nfc的資料暫存器讀取想要的資料。
2、random data output （隨機讀）
如下圖，前部分跟上面提到的一致，再輸入30確認讀後，讀出想要的頁的內容。此時若想繼續讀此頁怎麼辦？？？
輸入05、2個頁內位址、e0，然後硬體會從指定的頁內位址繼續讀出資料。
3、頁程式設計
如下圖，程式設計的操作過程是先輸入程式設計命令80，然後輸入5個位址，跟讀的位址一樣，再輸入要程式設計的資料到頁快取（頁暫存器），之後確認開始程式設計10，等
r/b#為高電平時程式設計結束。
4、random data input （隨機輸入）
nand flash基礎 讀寫擦操作
當對乙個cell進行讀操作時，對相應的wordline施加vread電壓，對其他wordline施加vpass電壓，如上圖所示。狀態為 0 的cell 被program的cell 的vth均大於0，狀態為 1 的cell 被erase的cell 的vth均小於1，且所有cell的vth有乙個上限，所...
NAND FLASH 讀寫定址方式
來自小不懂的不懂的網易blog nand flash的定址方式和nand flash的memory組織方式緊密相關。nand flash的資料是以bit的方式儲存在memory cell，一般來說，乙個cell中只能儲存乙個bit。這些cell以8個或者16個為單位，連成bit line，形成所謂的...
S3C2440 NandFlash 讀寫操作
nand flash 就是乙個flash快閃儲存器 儲存資料 而s3c2440a 又為nand flash 配有相應的控制暫存器，可以直接將flash 接上處理器 整個 整個資料中，關鍵是要看s3c2440a的晶元手冊，和nand flash 的手冊，我的nand flash是k9f2g08u0b ...