S3C6410 儲存器對映

1 儲存系統塊圖

我們以行為單位來看，在每一行中，最前面的兩列表示的是位址範圍，後面的幾列則是不同的儲存控制器。在每一行中用粗邊框標示出來的部分表示最前面兩列的位址範圍對映到這個區域當中。例如：最後兩行的位址範圍：0x50000000~0x5fffffff和0x60000000~0x6ffffffff分別對映到了dram控制器。用6410晶元的人應該對0x50000000這個記憶體位址比較熟悉。當然，我們注意到了，出現了單個位址對映到了多個儲存控制器，例如：0x28000000~0x2fffffff這個位址範圍對映到了srom控制器和one nand控制器上。這是為什麼呢？看下面的註解就知道了。

註解)6410x pop（package on package） a型別（封裝）的不支援nand flash。所以此時我們可以忽略掉nand flash控制器這一列。6410x pop d型別的不支援onenanf flash控制器，此時可以忽略onenand flash控制器這一列，這樣就不會衝突了。

**中還有上腳標為1和2的符號，他們的含義分為別：

上腳標1代表在這個地方的內容在儲存子系統這一節中有詳細說明。

上腳標2代表這個位址可以同時被對映到srom控制器和onenand控制器。詳細的資訊也在儲存子系統這一節中介紹。

s3c6410x支援32位的實體地址，這些位址域可以被分為兩個部分，乙個部分用於儲存，另外乙個用於外設。

我們可以通過spine匯流排來訪問主要儲存區域，它的位址範圍是0x0000_0000～0x6fff_ffff.這個主要的儲存區域被分為四個區域：引導映象區、內部儲存區/靜態儲存區和動態儲存區。

引導映象區的位址範圍是0x0000_0000～0x7fff_ffff,但是這裡沒有實際對映的儲存。引導映象區在內部儲存區或者是內部映象區中有乙個映象區域。引導映象的位址固定為0x0000_0000.

內部儲存區用來訪問內部rom和用於boot loader的內部sram這兩個區域的。其中，用於boot loader的內部sram區域也被稱作steppingstone。每乙個內部儲存區的起始位址都是固定的。內部rom的位址範圍是0x0800_0000～0x0bff_ffff,但是實際的儲存大小只有32kb。這個區域是唯讀的，並且當選擇內部rom啟動方式時，這個區域可以被對映到引導映象區。內部sram的位址範圍是0x0c00_0000～0x0fff_ffff,但是實際的儲存大小只有4kb。

靜態儲存區的位址範圍是0x1000_0000～0x3fff_ffff.我們可以通過這個位址訪問到：srom、sram、nor flash、非同步nor介面的裝置、onenand flash和steppingstone。每乙個區域都代表乙個晶元被選擇，例如：位址0x1000_0000～0x17ff_ffff代表xm0csn[0].每乙個被選擇的晶元的起始位址都是固定的。我們不能通過靜態儲存區來訪問nand flash和 cf/ata,因此，如果任何的xm0csn[5:2]被對映到了nfcon或者cfcon,相關的位址區域是不能被訪問到的。但是有乙個例外，那就是當xm0csn[2]用於nand flash時，steppingstone就映象到了區域0x2000_0000～0x27ff_ffff.

動態儲存區域的範圍是0x4000_0000～0x6fff_ffff.dmc1有權利使用0x5000_0000～0x6fff_ffff這個位址範圍。每乙個被選擇的晶元的起始位址都是可以配置的。

我們可以通過peri這個匯流排來訪問外設，它的位址範圍是0x7000_0000～0x7fff_ffff.所有的sfrs都可以通過這個位址範圍訪問到。當然，如果我們需要從nfcon或者是cfcon來傳輸資料，那麼這些資料也必須通過peri匯流排來傳輸。

問題：「

我們不能通過靜態儲存區來訪問nand flash和 cf/ata,因此，如果任何的xm0csn[5:2]被對映到了nfcon或者cfcon,相關的位址區域是不能被訪問到的。但是有乙個例外，那就是當xm0csn[2]用於nand flash時，steppingstone就映象到了區域0x2000_0000～0x27ff_ffff.」這段話看上去有點矛盾，該如何理解？

S3C6410 儲存器對映

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s3c6410位址對映

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