nand flash 在嵌入式系統中的地位與pc機上的硬碟是類似的。用於儲存系統執行所必需的作業系統，應用程式，使用者資料，執行過程中產生的各類資料，系統掉電後資料不會護丟失.本文主要介紹關於nand flash的組織結構和編寫程式的方法。
在三星的nand flash 中，當cpu從nand flash開始啟動時，cpu會通過內部的硬體將nand flash開始的4kb資料複製到稱為「steppingstone」的4kb的內部ram中，起始位址為0，然後跳到位址0處開始執行。這也就是我們為什麼可以把小於4kb的程式燒到nand flash中，可以執行，而
當大於4kb時，卻沒有辦法執行，必須借助於nand flash的讀操作，讀取4kb以後的程式到記憶體中。
nand flash的定址方式和nand flash的memory組織方式緊密相關。nand flash的資料是以bit的方式儲存在 memory cell（儲存單元）。一般情況下，乙個cell中只能儲存乙個bit。這些cell以8個或者16個為單位，連成 bit line ,形成所謂的byte(x8)/word(x16),這就是nand flash的位寬。
這些line會再組成pape（頁）。然後是每32個page形成乙個block，所以乙個block（塊）大小是16k.block是nand flash中最大的操作單元，其中的擦除操作是以block為單位進行擦除的，而讀寫和程式設計是以page為單位進行操作的，並且讀寫之前必須進行flash的擦寫。我們這裡以三星k9f1208u0m的nand flash 為例，它的大小是64mb的。
1block = 32page
1page = 512bytes(datafield) + 16bytes(oob)
k9f1208u0b總共有4096 個blocks，故我們可以知道這塊flash的容量為4096 *(32 *528)= 69206016 bytes = 66 mb
但事實上每個page上的最後16bytes是用於存貯檢驗碼用的，並不能存放實際的資料，所以實際上我們可以操作的晶元容量為
4096 *(32 *512) = 67108864 bytes = 64 mb
nand flash 物理結構圖
在nand flash中有8個i/o引腳（io0—io7）、5個全能訊號（nwe ale cle nce nre）、乙個引腳，1個寫保護引腳。操作nand flash時，先傳輸命令，然後傳輸位址，最後讀寫資料。對於64mb的nand flash，需要乙個26位的位址。只能8個i/o引腳充當位址、資料、命令的復用埠，所以每次傳位址只能傳8位。這樣就需要4個位址序列。因此讀寫一次nand flash需要傳送4次（a[7:0] a[16:9] a[24:17] a[25]）。64m的nand flash的位址範圍為0x00000000—0x03ffffff。
一頁有528個位元組，而在前512b中存放著使用者的資料。在後面的16位元組中（oob）中存放著執行命令後的狀態資訊。主要是ecc校驗的標識。列位址a0-a7可以定址的範圍是256個位元組，要定址528位元組的話，將一頁分為了a.（1half array）b(2 half array) c(spare array)。a區0—255位元組，b區 256-511 位元組c區512—527位元組。訪問某頁時必須選定特定的區。這可以使位址指標指向特定的區實現。
在nand flash 中存在三類位址，分別為block address 、column address page address.。
column address 用來選擇是在上半頁定址還是在下半頁定址a[0]—a[7].也就相當於頁內的偏移位址。在進行擦除時不需要列位址，因為擦除是以塊為單位擦除。32個page需要5bit來表示。也就是a[13:9];也就是頁在塊內的相對位址。a8這一位用來設定512位元組的上半頁，還是下半頁，1表示是在上半頁，而2表示是在下半頁。block的位址有a[25:14]組成。
儲存操作特點：
1.擦除操作的最小單位是塊
2.nand flash晶元每一位只能從1變為0，而不能從0變為1，所以在對其進行寫入操作之前一定要將相應塊擦除（擦除就是將相應塊的位全部變為1
3 oob部分的第六位元組（即517位元組）標誌是否壞塊，如果不是壞塊該值為ff，否則為壞塊
4 除oob第六位元組外，通常至少把oob前3位元組存放nand flash硬體ecc碼
乙個容量為64m(512mbit)的nand flash,分為131072頁，528列。（實際中由於存在spare area,故都大於這個值），有4096塊，需要12bit來表示即a[25:14].如果是128m（1gbit）的話，blodk address為a[26:14].由於位址只能在io0—io7上傳送。程式設計時通常通過移位來實現位址的傳送。傳送過程如下：
第1個位址序列：傳遞column address，也就是nand flash[7:0],這一週期不需要移位即可傳遞到i/o[7:0]上，而half page pointer 即a8是由操作指令決定，00h，在a區，01h在b區，指令決定在哪個half page上進行讀寫，而真正a8的值是不需要程式設計師關心的；
第2個位址序列：就是將nand_addr 右移9位，而不是8位，將nand_addr[16:9]傳遞到i/o[7:0]上；
第3個位址序列：將nand_addr[24:17] 傳遞到i/o[7:0]上；
第4個位址序列：將nand_addr[25]傳送到i/o上。
整個位址的傳送過程需要4步才能完成。如果nand flash 的大小是32mb的以下的話，那麼block address 最高位只到bit24,因此定址只需要3步，就可以完成。
在進行擦除操作時由於是以塊進行擦除，所以只需要3個位址序列，也就是只傳遞塊的位址，即a[14:25]。
nand flash位址的計算：
column address 翻譯過來是列位址，也就是在一頁裡的偏移位址。其實是指定page上的某個byte，指定這個byte，其實也就是指定此頁的讀寫起始位址。
page address:頁位址。頁的位址總是以512bytes對齊的，所以它的低9位問題0，確定讀寫操作在nand flash中的哪個頁進行。
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