在硬體開發，包括
dsp的開發中，常常涉及到
flash
儲存器，
eeprom
和sram
的使用，下面簡述我對它們的理解：
flash
儲存器，適用於速度要求高，容量要求大，掉電時要求資料不丟失的場合。
eeprom
適用於速度不高，容量不大，掉電時要求資料不丟失的場合。如當年的
2864
。sram
一般就相當於計算機的記憶體，斷電不儲存，讀寫速度比
flash, eeprom快n
倍其中，
flash eeprom
都有斷電儲存的功能，也都有可多次擦寫的功能，
flash
，eeprom
擦寫方式不同，
flash
擦寫比較方便。具體的選擇，看自己的使用環境。
常見儲存器概念：
ram、
sram
、sdram
、rom
、eprom
、eeprom
、flash
儲存器可以分為很多種類，其中根據掉電資料是否丟失可以分為
ram（隨機訪問儲存器）和
rom（唯讀儲存器），其中
ram的訪問速度比較快，但掉電後資料會丟失，而
rom掉電後資料不會丟失。
在微控制器中，
ram主要是做執行時資料儲存器
,flash
主要是程式儲存器
,eeprom
主要是用以在程式執行儲存一些需要掉電不丟失的資料
.flash:
微控制器執行的程式儲存的地方。
sram
：儲存微控制器執行過程中產生的了臨時資料。
eeprom
：視使用者的需要而定，一般用來儲存系統的一些引數，這些引數可能需要修改，也可能不會修改。
rom和
ram指的都是半導體儲存器，
rom是
read only memory
的縮寫，
ram是
random access memory
的縮寫。
rom在系統停止供電的時候仍然可以保持資料，而
ram通常都是在掉電之後就丟失資料，典型的
ram就是計算機的記憶體。另外，一些變數，都是放到
ram裡的，一些初始化資料比如液晶要顯示的內容介面，都是放到
flash
區里的（也就是以前說的
rom區），
eeprom
可用可不用，主要是存一些執行中的資料，掉電後且不丟失
ram
又可分為
sram
（static ram/
靜態儲存器）和
dram
（dynamic ram/
動態儲存器）。
sram
是利用雙穩態觸發器來儲存資訊的，只要不掉電，資訊是不會丟失的。
dram
是利用mos
（金屬氧化物半導體）電容儲存電荷來儲存資訊，因此必須通過不停的給電容充電來維持資訊，所以
dram
的成本、整合度、功耗等明顯優於
sram
。sram
速度非常快，是目前讀寫最快的儲存裝置了，但是它也非常昂貴，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如
cpu的一級緩衝，二級緩衝。
dram
保留資料的時間很短，速度也比
sram
慢，不過它還是比任何的
rom都要快，但從**上來說
dram
相比sram
要便宜很多，計算機記憶體就是
dram的。
記憶體工作原理：記憶體是用來存放當前正在使用的（即執行中）的資料和程式，我們平常所提到的計算機的記憶體指的是動態記憶體（即
dram
），動態記憶體中所謂的"動態
"，指的是當我們將資料寫入
dram
後，經過一段時間，資料會丟失，因此需要乙個額外設電路進行記憶體重新整理操作。
具體的工作過程是這樣的：乙個
dram
的儲存單元儲存的是0還是
1取決於電容是否有電荷，有電荷代表
1，無電荷代表
0。但時間一長，代表
1的電容會放電，代表
0的電容會吸收電荷，這就是資料丟失的原因；重新整理操作定期對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1／
2，則認為其代表
1，並把電容充滿電；若電量小於1／
2，則認為其代表
0，並把電容放電，藉此來保持資料的連續性。
而通常人們所說的
sdram
是dram
的一種，它是同步動態儲存器，利用乙個單一的系統時鐘同步所有的位址資料和控制訊號。使用
sdram
不但能提高系統表現，還能簡化設計、提供高速的資料傳輸。在嵌入式系統中經常使用。
rom也有很多種，
prom
是可程式設計的
rom，
prom
和eprom
（可擦除可程式設計
rom）兩者區別是，
prom
是一次性的，也就是軟體灌入後，就無法修改了，這種是早期的產品，現在已經不可能使用了，而
eprom
是通過紫外光的照射擦出原先的程式，是一種通用的儲存器。另外一種
eeprom
是通過電子擦出，**很高，寫入時間很長，寫入很慢。手機軟體一般放在
eeprom
中，我們打**，有些最後撥打的號碼，暫時是存在
sram
中的，不是馬上寫入通過記錄（聯絡歷史儲存在
eeprom
中），因為當時有很重要工作（通話）要做，如果寫入，漫長的等待是讓使用者忍無可忍的。
flash
也是一種非易失性儲存器（掉電不會丟失），它擦寫方便，訪問速度快，已大大取代了傳統的
eprom
的地位。由於它具有和
rom一樣掉電不會丟失的特性，因此很多人稱其為
flash rom
。flash
儲存器又稱快閃儲存器，它結合了
rom和
ram的長處，不僅具備電子可擦出可程式設計（
eeprom
）的效能，還不會斷電丟失資料同時可以快速讀取資料（
nvram
的優勢），u盤和
***裡用的就是這種儲存器。在過去的
20年裡，嵌入式系統一直使用
rom（
eprom
）作為它們的儲存裝置，然而近年來
flash
全面代替了
rom（
eprom
）在嵌入式系統中的地位，用作儲存
bootloader
以及作業系統或者程式**或者直接當硬碟使用（
u 盤）。
目前flash
主要有兩種
nor flash
和nadn flash
。nor flash
的讀取和我們常見的
sdram
的讀取是一樣，使用者可以直接執行裝載在
nor flash
裡面的**，這樣可以減少
sram
的容量從而節約了成本。
nand flash
沒有採取記憶體的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一快的形式來進行的，通常是一次讀取
512個位元組，採用這種技術的
flash
比較廉價。使用者不能直接執行
nand flash
上的**，因此好多使用
nand flash
的開發板除了使用
nand flah
以外，還作上了一塊小的
nor flash
來執行啟動**。
一般小容量的用
nor flash
，因為其讀取速度快，多用來儲存作業系統等重要資訊，而大容量的用
nand flash
，最常見的
nand flash
應用是嵌入式系統採用的
doc（
disk on chip
）和我們通常用的「閃盤
」flash
主要來自
intel
，amd
，fujitsu
和toshiba
，而生產
nand flash
的主要廠家有
samsung
和toshiba
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