記憶體的分類

記憶體分類：

dram(dynamic random access memory)，即動態

隨機訪問儲存器

，最為常見的

系統記憶體

。dram 只能將資料保持很短的時間。為了保持資料，dram使用電容儲存，所以必須隔一段時間重新整理(refresh)一次，如果

儲存單元

沒有被重新整理，儲存的資訊就會丟失。 (關機就會丟失資料)

。由於要定期重新整理儲存介質，dram也有訪問速度較慢，耗電量較大的缺點。

sram：sram是英文static ram的縮寫，即靜態隨機儲存器。它是一種具有靜止訪問功能的記憶體，不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料。缺點，整合度低，掉電不能儲存資料，功耗較大，相同的容量體積較大，而且**較高，少量用於關鍵性系統以提高效率。

比如stepping stone.

sdram(synchronous dynamic

access memory

):同步動態隨機儲存器

同步：記憶體工作需要有同步時鐘，內部的命令的傳送與資料的傳送都已該時鐘為基準。

動態：儲存陣列需要不斷地重新整理來保證資料不丟失。

ddr=double data rate雙倍速率同步

動態隨機儲存器

。ddr記憶體可以在脈衝的上公升和下降沿都傳輸資料，因此傳輸資料的等效頻率是工作頻率的兩倍。

ddr2 是 ddr sdram 記憶體的第二代產品。它在 ddr 記憶體技術的基礎上加以改進，從而其傳輸速度更快(可達 667mhz )，耗電量更低，散熱效能更優良 .ddr2記憶體每個時鐘能夠以4倍外部匯流排的速度讀/寫資料，並且能夠以內部控制匯流排4倍的速度執行。

備註：2440開發板上使用的記憶體通常是sdram，6410開發板通常採用ddr記憶體，210開發板通常採用ddr2記憶體

總記憶體是由若干類似表結構的模組組成的，被稱作logical-bank(l-bank).定址是先進行l-bank的選擇訊號，再進行行位址與列位址選擇

記憶體總容量的計算

記憶體晶元的容量就是所有l-bank中的儲存單元的容量總和。

記憶體總容量

=l-bank的數量 x

乙個l-bank的儲存單元數量

x乙個l-bank的儲存單元

的容量

例如: 4 banks x 4 m x 16 bit synchronous，

總容量為4 x 4 x 16bit,這樣

計算出來的晶元容量是以bit為單位，

一般來說，

計算記憶體一般以位元組的方式，不是以位的方式，所以通常採用除8的方式轉換為位元組（byte），所以上例總容量為4 x 4 x 16 /2 = 32 mbit