N溝道還是P溝道MOSFET

2021-07-14 06:38:52 字數 1866 閱讀 3633

如何區分場效電晶體是n溝道還是p溝道? 

答:在電路圖中n溝道的mos管箭頭是向內側指向,p溝道的箭頭是向外側指向的。 

n溝道的測量方法是:萬用表打到二極體檔,紅錶筆接s極,黑錶筆接d極,測到400到800的阻值就可以判斷這個mos管是n溝道的。p溝道的測量方法是:萬用表打到二極體檔,紅錶筆接d極,黑錶筆接s極,測到400-800的阻值可以判斷這個mos管是p溝道的。(用錶筆二極體檔測s極和d極的一組數值(600-800)紅s黑d是n溝道黑s紅d是p溝道)。 

場效電晶體分為n溝道和p溝道,它的導通條件分別是什麼? 

答:都是靠在g極上加乙個觸發電壓,使n極與d極導通。對n溝道g極電壓為+極性。對p溝道的g極電壓為-極性。 

(複雜點的看下文) 

場效電晶體的導通與截止由柵源電壓來控制,對於增強型場效電晶體來說,n溝道的管子加正向電壓即導通,p溝道的管子則加反向電壓。一般2v~4v就可以了。 

但是,場效電晶體分為增強型(常開型)和耗盡型(常閉型),增強型的管子是需要加電壓才能導通的,而耗盡型管子本來就處於導通狀態,加柵源電壓是為了使其截止。開關只有兩種狀態通和斷,三極體和場效電晶體工作有三種狀態,1、截止,2、線性放大,3、飽和(基極電流繼續增加而集電極電流不再增加)。使電晶體只工作在1和3狀態的電路稱之為開關電路,一般以電晶體截止,集電極不吸收電流表示關;以電晶體飽和,發射極和集電極之間的電壓差接近於0v時表示開。開關電路用於數位電路時,輸出電位接近0v時表示0,輸出電位接近電源電壓時表示1。所以數字積體電路內部的電晶體都工作在開關狀態。

n溝g極高電平時導通,電流從d極流向s極;

p溝g極低電平時導通,電流從s極流向d極.

npn  pnp是指三極體   mos管是n溝道和p溝道 至於電流的流向  只要g級滿足導通條件 mos管就相當於導線怎麼流都是可以的  關鍵在於g級

在電子元器件

技術中:論電流方向來說n溝道mos管與pnp電晶體這。

理想的mos管,不管nmos還是pmos,溝道開啟的時候,電流可從源到漏,也可從漏到源。但是實際的mos管,由於製造工藝的原因,在矽底層擴散形成結的時候會同時形成乙個寄生二極體。由於這個寄生二極體的存在,當溝道關閉後,mos管源漏之間仍然能夠單向導電。因此,為了讓mos管正常工作,必須保證該寄生二極體處於反偏。具體來說,對於nmos,寄生二極體方向是從源到漏,因此電路上電流應該從漏到源,即漏極電位高於源極才能正常工作;而pmos則相反。可簡單歸納為「n正驅(柵極電位高於矽基底)反通(漏極高於源極),p反驅正通」。

?題目n溝道mos管漏源之間加負電壓是什麼現象

在正向開啟的柵源電壓下,給n溝道mos管漏源之間加負電壓,請問會有什麼變化,

可以產生迴路嗎?

另乙個問題,p溝道mos 柵源電壓為負,開啟後,漏源電壓為負,電流是從源級,流向漏極的嗎?

如果是,那麼我在漏源間加正電壓,又會是什麼情況呢,可以形成迴路嗎?

優質解答

源漏互換了.

其實乙個mos管物理實現上是不區分源漏的,兩邊完全對稱,只有外加電壓後才有源漏一說.

追問:能不能說具體點啊, 你的意思是 外家柵源電壓後, 漏源才有區分,那假如是n溝道的話,只能是漏源電壓正,才可以有電流是吧

追答:是的,但是你那樣說是不準確的。只要源漏間有壓降,溝道就會有電流,而電流的方向又決定了提供載流子的一端為源極,即載流子從源級流向漏極。

追問:假如是n溝道的話,只能是漏源電壓正,才可以有電流是吧, 如果漏源加負電壓呢,會有電流嗎

追答:就源漏互換了啊,沒有看懂我最開始的回答麼。。原來的漏極變成新的源級,電流方向和原來相反

追問:就是說只要柵源的開啟電壓達到閾值,開啟後, 漏源電壓無論正負都有電流是吧。 漏源其實就是指乙個電流的流向是漏到源,無論怎麼正負電壓,電流總是從漏極流向源級。是這意思吧

追答:是的,但是源漏的互換不是突變的,需要花一定的時間。另外開啟條件也是和源級電位有關:vgs>vth

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