**一：
#define writeflash(addr,dat) *((volatile int16u *)(addr<<1))=(int16u)dat
#define readflash(addr) (*((volatile int16u *)(addr<<1)))
/*addr為讀寫操作的半字位址，data則為要寫入的半字資料。因為arm處理器是以位元組為單位
進行資料處理的，而sst39vf160是16位資料寬度，所以，addr位址必須左移1位。*/
**二：
//擦除是否為空
int sst39vf160_checkblank(int32u addr,int32u wordsize)
return 1;
}
在網上看到這麼一段話，我琢磨不透。「s3c44b0x是按照位元組編址的，而flash rom是以16位為乙個儲存單元」是怎樣推出要「偏移一位」呢？**一的注釋和上一段一樣，也沒有給出是如何推導出來的。而且**二中的下面這行**的注釋更是讓我不解。前面的i被定義成int32u 型，怎麼通過左移一位就可以得到16的資料呢？懇請各位大俠給出較為詳細的解釋.
temp=*((volatile int16u *)(i<<1)); //位址左移一位，也就得到16位的資料了。
解答：關於那個錯位，我不知道能不能跟你說清楚。首先，sst39vf16 flash是16位的，也就是以兩個位元組（半字）為最小操作單位的。也就是說你在flash位址上給0x00000,則它給出的資料是第乙個16位的半字；在flash位址上給0x00001,它給出的是第二個16位的半字；在flash位址上給0x00002,它給出的是第三個16位的半字。。。但arm的位址是以位元組編址的，它可以以位元組單位來讀取或者寫外設。
假設我們要讀取flash的第乙個位元組，ldrb r0,[r1];將r1內容寫0x00000,這個時候arm執行的是這樣的操作：
1、送出位址0x00000
2、在d0-d15上讀取資料
3、將讀到的16位資料的低8位給r0低8位（高24位為0）
假設我們要讀取flash的第二個位元組，ldrb r0,[r1];將r1內容寫0x00001，
這個時候arm執行的是這樣的操作：
1、送出位址ox00001
2、在d0-d15上讀取資料
3、將讀到的16位資料的高8位給r0的低8位（高24位為0）
從上面的操作可以看到，如果我們一一對應的將arm和flash得位址連線，那麼我們想讀flash的第2個位元組的話，就沒有辦法讀到了。因為你位址給0x00001,flash就在資料線上給的是第3個位元組和第4個位元組的資料，並將高8位（flash的第4個位元組）給r0;如果你給的位址是0x00000的話，arm的理解就是將資料線d0-d15的低8位給r0，顯然這個16位的資料是flash的第1個位元組和第2個位元組的資料，低8位指的就是第乙個自己的資料。顯然怎麼也讀不到flash的第2個資料。
我們既要遵循arm的規則，又要讓flash給我們正確的資料。你自己想應該怎麼辦？很簡單，把arm給的位址最低位剪掉，把剩下的給flash。要讀第2個位元組，還是送0x00001，但是最後的1被剪掉了，flash得到的位址是ox00000,顯然給出的資料是第1個和第二個位元組。而arm覺得送出的位址是0x00001啊，應該把高位址給r0啊，即把第2個位元組給了r0。就是乙個「欺上瞞下」的過程。
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