sdram
sdram(synchronous dynamic random access memory)同步動態隨機訪問儲存器，同步是指memory工作需要步時鐘，內部的命令的傳送與資料的傳輸都以它為基準；動態是指儲存陣列需要不斷的重新整理來保證資料不丟失；隨機是指資料不是線性依次儲存，而是由指定位址進行資料讀寫。目前的168線64bit頻寬記憶體基本上都採用sdram晶元，工作電壓3.3v電壓，訪問速度高達7.5ns，而edo記憶體最快為15ns。並將ram與cpu以相同時鐘頻率控制，使ram與cpu外頻同步，取消等待時間,所以其傳輸速率比edo dram更快。
sdram從發展到現在已經經歷了四代，分別是：第一代sdr sdram，第二代ddr sdram，第三代ddr2 sdram，***ddr3 sdram.
第一代與第二代sdram均採用單端（single-ended）時鐘訊號,第三代與***由於工作頻率比較快，所以採用可降低干擾的差分時鐘訊號作為同步時鐘。
sdr sdram的時鐘頻率就是資料儲存的頻率，第一代記憶體用時鐘頻率命名，如pc100，pc133則表明時鐘訊號為100或133mhz，資料讀寫速率也為100或133mhz。
之後的第二，三，四代ddr（double data rate）記憶體則採用資料讀寫速率作為命名標準，並且在前面加上表示其ddr代數的符號，pc-即ddr，pc2=ddr2，pc3=ddr3。如pc2700是ddr333，其工作頻率是333/2=166mhz，2700表示頻寬為2.7g。
ddr的讀寫頻率從ddr200到ddr400，ddr2從ddr2-400到ddr2-800，ddr3從ddr3-800到ddr3-1666。
很多人將sdram錯誤的理解為第一代也就是 sdr sdram，並且作為名詞解釋，皆屬誤導,sdr不等於sdram。
pin:模組或晶元與外部電路電路連線用的金屬引腳，而模組的pin就是常說的「金手指」。
simm：sigle in-line memory module,單列記憶體模組。記憶體模組就是我們常說的記憶體條，所謂單列是指模組電路板與主機板插槽的介面只有一列引腳（雖然兩側都有金手指）。
dimm：double in-line memory module，雙列記憶體模組。是我們常見的模組型別，所謂雙列是指模組電路板與主機板插槽的介面有兩列引腳，模組電路板兩側的金手指對應一列引腳。
rdimm：registered dimm，帶暫存器的雙線記憶體模組
so-dimm:筆記本常用的記憶體模組。
工作電壓：
sdr：3.3v
ddr：2.5v
ddr2：1.8v
ddr3：1.5v
sram
sram是英文static ram的縮寫，它是一種具有靜止訪問功能的記憶體，不需要重新整理電路即能儲存它內部儲存的資料。不像dram記憶體那樣需要重新整理電路，每隔一段時間，固定要對dram重新整理充電一次，否則內部的資料即會消失，因此sram具有較高的效能，但是sram也有它的缺點，即它的整合度較低，相同容量的dram記憶體可以設計為較小的體積，但是sram卻需要很大的體積，所以在主機板上sram儲存器要占用一部分面積，在主機板上哪些是sram呢？
一種是置於cpu與主存間的快取記憶體，它有兩種規格：一是固定在主機板上的快取記憶體（cache memory ）；二是插在卡槽上的coast（cache on a stick）擴充用的快取記憶體，另外在cmos晶元1468l8的電路裡，它的內部也有較小容量的128位元組sram，儲存我們所設定的配置資料。
還有一種是為了加速cpu內部資料的傳送，自80486cpu起，在cpu的內部也設計有快取記憶體，故在pentium cpu就有所謂的l1 cache（一級快取記憶體）和l2cache（二級快取記憶體）的名詞，一般l1 cache是內建在cpu的內部，l2 cache是設計在cpu的外部，但是pentium pro把l1和l2 cache同時設計在cpu的內部，故pentium pro的體積較大。最新的pentium ii又把l2 cache移至cpu核心之外的黑盒子裡。
sram顯然速度快，不需要重新整理的動作，但是也有另外的缺點，就是**高，體積大，所以在主機板上還不能作為用量較大的主存。現將它的特點歸納如下：
◎優點，速度快，不必配合記憶體重新整理電路，可提高整體的工作效率。
◎缺點，整合度低，功耗較大，相同的容量體積較大，而且**較高，少量用於關鍵性系統以提高效率。
◎sram使用的系統：
○cpu與主存之間的快取記憶體
○cpu內部的l1／l2或外部的l2快取記憶體
○cpu外部擴充用的coast快取記憶體
○cmos 146818晶元（rt＆cmos sram）
sram與sdram的比較：
sram是靠雙穩態觸發器來記憶資訊的；sdram是靠mos電路中的柵極電容來記憶資訊的。由於電容上的電荷會洩漏，需要定時給與補充，所以動態ram需要設定重新整理電路。但動態ram比靜態ram整合度高、功耗低，從而成本也低，適於作大容量儲存器。所以主記憶體通常採用sdram，而高速緩衝儲存器（cache）則使用sram，在訪問速度上，sram>sdram。另外，記憶體還應用於顯示卡、音效卡及cmos等裝置中，用於充當裝置快取或儲存固定的程式及資料。
SRAM與SDRAM的區別
sdram sdram synchronous dynamic random access memory 同步動態隨機訪問儲存器，同步是指memory工作需要步時鐘，內部的命令的傳送與資料的傳輸都以它為基準 動態是指儲存陣列需要不斷的重新整理來保證資料不丟失 隨機是指資料不是線性依次儲存，而是由指定...
SRAM與SDRAM的區別
sdram sdram synchronous dynamic random access memory 同步動態隨機訪問儲存器，同步是指memory工作需要步時鐘，內部的命令的傳送與資料的傳輸都以它為基準 動態是指儲存陣列需要不斷的刷 新來保證資料不丟失 隨機是指資料不是線性依次儲存，而是由指定位...
SRAM與SDRAM的比較
內存在電腦中起著舉足輕重的作用，一般採用半導體儲存單元，包括隨機儲存器 ram 唯讀儲存器 rom 以及快取記憶體 cache 按記憶體條的介面形式，常見記憶體條有兩種 單列直插記憶體條 simm 和雙列直插記憶體條 dimm simm記憶體條分為30線，72線兩種。dimm記憶體條與simm記憶體...