一、三極體型別與區別
三極體大致分兩類：pnp型和npn型。（p代表正極：positive，n代表負極：negative）p型半導體在高純度矽中加入硼取代一些矽原子，產生大量空穴利於導電，而n型半導體在高純度矽中加入磷取代矽，在電壓刺激下產生自由電子導電。
三極體在內部製造工藝上有三個特點：
a、基區很薄，且摻雜濃度比較低（但薄了會增大結電容，從而影響頻寬效能）；
b、發射區高摻雜，增加多子（空穴或自由電子）數量；
c、集電結面積大，利於接收多子（空穴或自由電子）。
原理圖符號如下：
圖1-1 npn型三極體
圖1-2 pnp型三極體
二、截止和導通內部狀態
（以npn三極體為例進行講解）
1、截止
截止條件：a、發射結電壓ube小於pn結導通電壓或反偏；b、集電結反偏
理想條件下，三極體在截止狀態下，ib=0 ma，ic=0ma，ie=0ma。（實際情況是，pn結截止時，總是會有很小的漏電流存在，也就是說pn結總是存在著反向關不斷的現象，pn結的單向導電性並不是百分之百，同時也是ib控制ic的重要基礎，後面詳細講述。）
圖2-1 npn三極體內部構造示意圖
2、放大導通
放大導通條件：a、發射結電壓ube大於pn結導通電壓；b、集電結反偏
基極、集電極、發射極的電壓關係：uc>ub>ue
當pn結正嚮導通後，發射極e（n型半導體）的大量的多子（自由電子）流向基極b，由於基極b（p型半導體）很薄且摻雜濃度低，對多子（自由電子）的捕獲能力較弱。同時，集電結反偏，使集電極到基極存在正向電勢能，電場的向量方向與電子運動方向正好相反，便於電子向集電極注入。以上因素，促使電子很容易穿透基區和集電結到達集電極，形成電流ic。（這種情況下，pn結反嚮導通比想象的要容易，但要和普通pn結反嚮導通相區別。）
三極體放大導通後，ic與uc無直接關係，uc的作用是維持反向偏置電路。ic與ib、摻雜濃度相關。
對於ic還可以理解為：ic的本質是少子（空穴）電流，是通過電子注入（集電結反偏）而實現的人為可控的集電結「漏」電流，因此它就可以很容易地反向通過集電結。
圖2-2 npn型三極體放大導通電路
3、飽和導通
飽和導通條件：a、發射結電壓ube大於pn結正嚮導通電壓；b、集電結電壓ubc大於pn結正嚮導通電壓；
基極、集電極、發射極的電壓關係：ub>uc且ub >ue。
此時，ib、ic、ie均為少子（空穴）形成的電流，電流大小和基區的摻雜濃度有關。
圖2-3 npn型三極體飽和導通電路
三、總結
雖然上述以npn型三極體為例進行講解，但原理同樣適用於pnp型三極體，pnp型三極體的多子為帶正電荷的空穴。
三極體工作狀態與條件關係如下表：
工作狀態
工作條件
描述
備註截止
發射結反偏，集電結反偏
ube≤0v（或小於pn結正嚮導通電壓），ubc≤0v
向量電壓
放大發射結正偏，集電結反偏
ube大於等於pn結正嚮導通電壓，ucb＞0v
向量電壓
飽和發射結正偏，集電結正偏
ube大於等於pn結正嚮導通電壓，ubc＞0v
向量電壓
倒置發射結反偏，集電結正偏
ube＜0v，ucb＞0v
實際使用機會較少，暫不講解
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