最近在研究flash讀寫，因為專案**在寫入之前總要擦除一塊區域，一開始還不以為然
上網查了下知識,不擦除寫不了，應該說寫入的內容不是你實際寫入的，長姿勢了呀，也直接在mtk 的6261工程上實驗的一下確實如此。
效能方便的區別norflash讀取比nandflash快，但是寫入慢，因為flash特性問題每次寫入之前都必須擦除，
nandflash擦除非常簡單，而norflash擦除前必須將改位置資料寫為0，如要將某位址數值為0x01擦除，先得寫入(0x98&0x01) =0.
1.norflash 寫入/擦除單位64-128k塊。
2.nandflash則是8-32k的塊，相同的乙個寫入/擦除操作時間norflash是5s,而nandflash則是4ms。
3.nandflash寫入是百萬次，而nor是10萬次級。
4.因為norflash具有sram介面，所以應用程式可直接在norflash執行，不需要複製到sram裡。
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