2.1：什麼是過流，即
mos能過通過的額定電流，在
mos管的晶元手冊上會有相關的引數說明，如果
mos管的電流過大，會產生極高的熱量，以至於損壞晶元。
2.2：實際案例分析
上圖是乙個逆變器的
h橋逆變電路，通過
spwm
將直流電轉換為正弦波交流電。
實際使用過程中，不管是輕負載還是重負載，t3，
t6，t4，
t7管會偶爾損壞。
造成損毀的原因實際上是過流造成的，那麼是怎麼過流的呢。一般情況下，
h橋導通的時候，電流流過
l1,l2
，實際上電流的上公升速度不會太快，當電流過大的時候，
itrip
上的電壓過大，是可以保護的。
我們先看看
mos管的等效模型。
c70是
mos的
gs之間的等效電容，
c69是
gd之間的等效電容（在器件手冊上為
cres
）。和t9
都關閉的時候，假設
v1的電壓為
vcc/2
。當t8
導通的時候，
v1的電壓為
vcc。此時就將對
c71,c72,r41
充電，t9 mos管gs
兩端的電壓值取決於
c71,c72,r41
（驅動器件閉合內阻以及回路上的電阻總和）。如果
c71或者
r41過大，將會導致
gs的電壓大於
mos管的閾值電壓，上下兩管將會同時導通，此時電流非常大，可能燒壞
mos管。
怎麼避免這種過流燒壞
mos管呢：
1：減小
r41,
即閉合的時候，閉合的時候驅動器件閉合內阻以及回路上的電阻總和。這樣可以減小
gs上的電壓。
2：閉合的時候，拉到負電壓，如下圖：
這樣，gs
端的電壓可以減去
vcc1。3
：新增保護電路，在過流的時候關斷
mos管。
r42是電流取樣電阻，如果電流過大，
v2的電壓公升高，保護電路將關閉
t8,t9
，以保護電路。
實際案例中已經有了過流保護電路了，為何依舊會損壞？因為從
mos管過流到
mos管關斷，這之間是有一段之間的，時間越短，
mos管越安全。一般在
5us之內就可以了。
案例中，
r11,r12,c21
組成了rc
濾波電路，其濾波時間（
2pairc
）大概為
30us
，遠大於
5us，是不可以的。1，
2種方法，都有侷限性，如果
mos管的
cres
變化較大，可能就不可以通過這種方法保護
mos管。例如
t8管的
cres
比較小，
t9管的
cres
較大，就會導致
r41上的電流較大，因此
gs上的電壓較大，
t9管導通。因此最可靠的保護方法是第三種。
怎麼計算
t8導通時候，t9的
gs端的電壓呢，可以檢視
infineon
的ir2114s
的器件手冊第
19頁。
mos管兩端的
ds兩端的電壓大於
mos管的額定電壓，導致
mos管損壞。
圖中，l8
是導線上的寄生電感，導線的越長，
l8,l9
越大，導線越粗，
l8,l9
越小。當
t8,t11
同時導通時候，電流i經過
l8,l9,t8,r41,t11
流到gnd
。如果此時突然關斷t8。
l8上的電感就會將能量輸送
c73。
1/2*l8*i*i=1/2*c73*(vcc1*vcc1-vcc*vcc)
vcc1
是電容充電之後的電壓，如果
vcc1
過高，就會損壞
mos管。
怎麼保護
mos管，
1：減小電感，因此，對於l9和
c69,c70,c71,c72
而言，減小
l9,意味著減小導線距離，
c73要離
mos管近。
2：加大電容，電容越大，電壓上公升越小，越不會過流。
mos 控制交流 MOS管和IGBT管的區別。
在電子電路中，mos管和igbt管會經常出現，它們都可以作為開關元件來使用，mos管和igbt管在外形及特性引數也比較相似，那為什麼有些電路用mos管？而有些電路用igbt管？1 mos管的結構與分類 場效電晶體主要有兩種型別，分別是結型場效電晶體 jfet 和絕緣柵場效電晶體 mos管 mos管即...
場效電晶體電機驅動 MOS管H橋原理
所謂的h 橋電路就是控制電機正反轉的。下圖就是一種簡單的h 橋電路，它由2 個p型場效電晶體q1 q2 與2 個n 型場效電晶體q3 q3 組成，所以它叫p nmos 管h 橋。橋臂上的4 個場效電晶體相當於四個開關，p 型管在柵極為低電平時導通，高電平時關閉 n 型管在柵極為高電平時導通，低電平時...
4個mos管驅動的全橋電路原理 逆變器工作原理
逆變器工作原理 輸入介面部分 輸入部分有3個訊號，12v直流輸入vin 工作使能電壓enb及panel電流控制訊號dim。vin由adapter提供，enb電壓由主機板上的mcu提供，其值為0或3v，當enb 0時，inverter不工作，而enb 3v時，inverter處於正常工作狀態 而dim...