在電子電路中，mos管和igbt管會經常出現，它們都可以作為開關元件來使用，mos管和igbt管在外形及特性引數也比較相似，那為什麼有些電路用mos管？而有些電路用igbt管？
1、mos管的結構與分類
場效電晶體主要有兩種型別，分別是結型場效電晶體(jfet)和絕緣柵場效電晶體(mos管)。
mos管即mosfet，中文全稱是金屬-氧化物半導體場效應電晶體，由於這種場效電晶體的柵極被絕緣層隔離，所以又叫絕緣柵場效電晶體。
mosfet又可分為n溝耗盡型和增強型；p溝耗盡型和增強型四大類。
有的mosfet內部會有個二極體，這是體二極體，或者叫寄生二極體、續流二極體。
關於寄生二極體的作用，有兩種解釋：
1)、mosfet的寄生二極體，作用是防止vdd過壓的情況下，燒壞mos管，因為在過壓對mos管造成破壞之前，二極體先反向擊穿，將大電流直接到地，從而避免mos管被燒壞。
2)、防止mos管的源極和漏極反接時燒壞mos管，也可以在電路有反向感生電壓時，為反向感生電壓提供通路，避免反向感生電壓擊穿mos管。
mosfet具有輸入阻抗高、開關速度快、熱穩定性好、電壓控制電流等特性，在電路中，可以用作放大器、電子開關等用途。
2、igbt的結構
igbt (insulated gate bipolar transistor)，絕緣柵雙極型電晶體，是由晶體三極體和mos管組成的複合型半導體器件。
igbt作為新型電子半導體器件，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電子電路中獲得極廣泛的應用。
igbt的電路符號至今並未統一，畫原理圖時一般是借用三極體、mos管的符號，這時可以從原理圖上標註的型號來判斷是igbt還是mos管。
同時還要注意igbt有沒有體二極體，圖上沒有標出並不表示一定沒有，除非官方資料有特別說明，否則這個二極體都是存在的。
igbt內部的體二極體並非寄生的，而是為了保護igbt脆弱的反向耐壓而特別設定的，又稱為fwd(續流二極體)。
判斷igbt內部是否有體二極體也並不困難，可以用萬用表測量igbt的c極和e極，如果igbt是好的，c、e兩極測得電阻值無窮大，則說明igbt沒有體二極體。
igbt非常適合應用於如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
3、mos管和igbt的結構特點
mos管和igbt管的內部結構如下圖所示。
igbt是通過在mosfet的漏極上追加層而構成的。
igbt的理想等效電路如下圖所示，igbt實際就是mosfet和電晶體三極體的組合，mosfet存在導通電阻高的缺點，但igbt克服了這一缺點，在高壓時igbt仍具有較低的導通電阻。
另外，相似功率容量的igbt和mosfet，igbt的速度可能會慢於mosfet，因為igbt存在關斷拖尾時間，由於igbt關斷拖尾時間長，死區時間也要加長，從而會影響開關頻率。
4、選擇mos管還是igbt？
在電路中，選用mos管作為功率開關管還是選擇igbt管，這是工程師常遇到的問題，如果從系統的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮，可以總結出以下幾點：
也可從下圖看出兩者使用的條件，陰影部分區域表示mosfet和igbt都可以選用，「？」表示當前工藝還無法達到的水平。
總的來說，mosfet優點是高頻特性好，可以工作頻率可以達到幾百khz、上mhz，缺點是導通電阻大在高壓大電流場合功耗較大；而igbt在低頻及較大功率場合下表現卓越，其導通電阻小，耐壓高。
mosfet應用於開關電源、鎮流器、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、通訊電源等等高頻電源領域；igbt集中應用於焊機、逆變器、變頻器、電鍍電解電源、超音訊感應加熱等領域。
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