在學習mos管之前，需要先要了解mos管是怎樣誕生的？它的需求是什麼？
mos管也簡稱場效電晶體，即場效應電晶體。我們再學習mos管之前，需要對標三極體。
三極體有n管和p管，同樣對標mos管，mos管也有n型和p型。
如下圖所示對標三極體的示意：
三極體具有功率放大的作用，實際上功率放大作用是三極體作用的總稱，本質上也是電流的放大，也意味著三極體的等效內阻變小。
同樣mos管也具有功率放大的作用。
無論是mos管還是三極體，控制極的電流都很小，輸出級的電流很大。
說明控制訊號的內阻大，輸出訊號的內阻很小。
上圖是三極體電流ib和ic的示意，可以理解為：等效ce內阻比等效be小了100倍。
三極體放大的前提條件：ib,ic需要有電流。也就是說ib,ic必須有完整的迴路。
有電流，內阻，必然會產生功耗，因此在電路中使用三極體越多，功耗越大。
因為三極體是乙個流控流的器件，因此這也是早期的主控晶元功耗大的原因。
那麼我們必須針對這現象問題，用乙個不是流控流型的器件，解決三極體功耗問題，因此mos管因勢而生，看出乙個器件的發展是因為另乙個器件在某一方面受制了。
場效電晶體即mos管的產生一定要解決三極體存在瓶頸問題。
如下圖所示：
假如說需要三極體的ic達到100a，ib就需要1a，且三極體的功耗在30w的發熱器件無法承受，有上限限制，基本上在1a以下。
mos管誕生必須要先解決功耗的問題，解決功耗問題就是解決三極體功率的問題。
解決功率問題，那麼mos管一定不會是流控流型（三極體），（三極體本身有內阻，產生電流，迴路必然產生功耗），要想解決功耗問題，那麼一定不能出現電流。
既然不能有電流，而且在電子世界中，除了電流就是電壓。既然流控流型不行，那麼能不能用電壓做乙個壓控壓型的器件，即管子的導通和關閉只考慮電壓的閾值，這個時候就可以讓電流很小，解決功耗問題。
因此對於mos管而言，gs柵源極內部必然存在乙個電容，因為只有電容才能存電充電，產生乙個閾值，因此在gs柵源極內部必然有乙個電容。（談到電壓就需要想到電容，談到電流需要想到電感的存在。）
則mos管的等效模型在gs柵源極之間有個電容的存在，如下圖所示。、
開始時對電容進行充電，充到閾值後，在充電過程中是消耗電流和功耗的，但是一但充電完成，電容上面就沒有電流了，即電容充滿無電流，無電流則無損耗。
ds漏源極之間等效成乙個可變電阻，這個可變電阻在關斷期間阻值無窮大，在導通期間阻值無窮小。因此在ds漏源極導通期間電阻無窮小，即是有乙個很大的電流，功耗依然很小。
因此mos管也可以實現放大，功耗又小的問題。
最後談一下模電的本質是什麼？無非就是電壓，電流，斜率。
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