mos管結電容等效模型 MOS管的防衝擊防反接電路

2021-10-17 01:35:26 字數 2142 閱讀 6194

mos管的反接和抑制衝擊

一:原理分析

mos管由於生產工藝等因素,會產生相應的寄生電容,體二極體等。mos管的寄生電容如圖1所示,可以看到其具有三個寄生電容:g和s的電容cgs;g和d的電容:cgd,也稱為反向傳輸電容、公尺勒電容、crss;d和s的電容cds。d和s之間的體二極體d1.

圖 1:mos管等效模型

寄生電容的數值可以從元器件的datasheet中得到,如圖2,圖3:

ciss(輸入電容)=cgs+cgd…………………………………………………(1)

coss(輸出電容)=cds+cgd………………………………………………..(2)

crss(反向傳輸陣容)=cgd……………………….……………………….(3)

圖 2:寄生電容值

圖 3:寄生電容值的動態變化

mos管的導通過程:以nmos為例,其各極之間的寄生電容分別為cds、cgs、cgd,如圖4所示。nmos的狀態隨vgs逐漸增加而變化,如圖5所示。mos管的導通過程如圖6,當vgsvds,vgd>0,此時vgs用於給cgd進行反向充電,因此在mos管開通的過程中,會有乙個時間段,g極的驅動電荷用於中和cgd中的電荷,並繼續灌入電荷使其中電荷的極性反向。這個時間段就是公尺勒平台形成的時間段。故在一段時間內(階段3),vgs無法繼續上公升,vds下降速度變慢。這就是公尺勒效應。若我們可以控制cgd的充電時間,即可控制vds的下降快慢,從而實現緩啟動,由於cgd』相對cgd很大,基於i=c*dv/dt的原理,故可以實現nmos導通時間的可控,其中緩衝電容cgd>>ciss,據實際模擬,cgd最好大於ciss乙個數量級(10^3)。另外從極端情況來說我們也可以通過控制cgs足夠大來達到緩啟動的功能,但是通過cgs控制的話會將開關時間託很長。

圖 4:mos等效模型

圖 5:mos轉移曲線

圖 6:mos的開通過程

t0~ t1: 從t0開始,g極給電容cgs充電,vgs從0v上公升到vgs(th)時,mos管都處於截止狀態,vds保持不變,id為零。mos處於截止區。

t1~ t2: 從t1後,vgs大於mos管開啟電壓vgs(th),mos管開始導通,id電流上公升,mos開始進入飽和區。

t2-t3:由於公尺勒效應,vgs會持續一段時間不再上公升,此時id已經達到最大,而vds還在繼續下降,直到公尺勒電容充滿電。vgs在當前階段會保持不變,形成乙個電壓平台,稱為公尺勒平台。

t3-t4:公尺勒電容充滿電,vgs繼續上公升到外界驅動電壓的值,此時mosfet進入電阻區,vds徹底降下來,開通結束。

二:防衝擊防反接電路

t2,r3,r4,sd1組成防反接電路。當電源正接的時候r3,r4,鉗位二極體通過鉗位將vgs電壓鉗位,使vgs > vgs(th),nmos飽和導通。當反接的時候vgs < vgs(th),nmos處於截止區不能導通,起到防反接功能。

t1,c1,c2,d1,r1,r2組成防衝擊電流電路。當電路正常導通時如果沒有c2和r2,則vgs>vgs(th),pmos會存在瞬間導通的情況,增加c2,r2後,會有乙個對c2充電的過程,保證pmos上電瞬間不導通, d1的作用為防止上電完成後cch對pmos的開關速率造成影響,增加二極體dg進行單向隔離。因此c2,r2,d1可以確保mos在上電瞬間不會導通,保證mos在上電瞬間處於關斷狀態。c1的作用為通過控制c1的值來調整公尺勒平台的時間。r1,r2的作用為開啟pmos.

圖 7:防衝擊防反接電路

三:具體計算

nmos,pmos的選擇確定mos的vds,vgs的值以及vgs(th),保證mos不會燒壞。並可以確定r1,r2,r3,r4以及sd1,d1的值,注意調整r2的值會影響給c2的充電時間。

圖 8:mos的選擇

選擇mos的rds(on)小的mos,一般為mω級別的這樣在mos上消耗的壓降小,盡量保證輸出與輸入一致。

圖 9:mos的選擇

由於irush=cload*dv/dt。由於cload(負載電容),dv的值一定,因此我們可以通過增大dt的時間來控制衝擊電流。dt由前面的分析可以知道我們可以改變公尺勒電容來改變mos導通時間。

c1可以通過mos的輸入電容ciss來確定。c1>>ciss(即10^3ciss)。計算cch的充電電壓vc2=vgsth(min)-vd1,其中vgsth(min)為pmos的最低開啟閾值電壓,vd1為二極體dg的管壓降;計算c2的容值,vc2=vdd*c1/(c1+c2)所以c2=c1(vdd-vc2)/vc2,為保證可靠性,應保證c2>c1*(vdd-vc2)/vc2。

mos管結電容等效模型 MOS管的公尺勒效應

如下是乙個nmos的開關電路,階躍訊號vg1設定dc電平2v,方波 振幅2v,頻率50hz t2的開啟電壓2v,所以mos管t2會以週期t 20ms進行開啟和截止狀態的切換。首先 vgs和vds的波形,會看到vgs 2v的時候有乙個小平台,有人會好奇為什麼vgs在上公升時會有乙個小平台?帶著這個疑問...

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