三極體是電流控制電流器件，用基極電流的變化控制集電極電流的變化。有npn型三極體和pnp型三極體兩種，符號如下：
mos管是電壓控制電流器件，用柵極電壓的變化控制漏極電流的變化。有p溝道mos管（簡稱pmos）和n溝道mos管（簡稱nmos），符號如下（此處只討論常用的增強型mos管）：
（1）npn型三極體，適合射極接gnd集電極接負載到vcc的情況。只要基極電壓高於射極電壓（此處為gnd）0.7v，即發射結正偏（vbe為正），npn型三極體即可開始導通。
基極用高電平驅動npn型三極體導通（低電平時不導通）；基極除限流電阻外，更優的設計是，接下拉電阻10-20k到gnd；優點是，①使基極控制電平由高變低時，基極能夠更快被拉低，npn型三極體能夠更快更可靠地截止；②系統剛上電時，基極是確定的低電平。
（2）pnp型三極體，適合射極接vcc集電極接負載到gnd的情況。只要基極電壓低於射極電壓（此處為vcc）0.7v，即發射結反偏（vbe為負），pnp型三極體即可開始導通。
基極用低電平驅動pnp型三極體導通（高電平時不導通）；基極除限流電阻外，更優的設計是，接上拉電阻10-20k到vcc；優點是，①使基極控制電平由低變高時，基極能夠更快被拉高，pnp型三極體能夠更快更可靠地截止；②系統剛上電時，基極是確定的高電平。
所以，如上所述
對npn三極體來說，最優的設計是，負載r12接在集電極和vcc之間。不夠周到的設計是，負載r12接在射極和gnd之間。
對pnp三極體來說，最優的設計是，負載r14接在集電極和gnd之間。不夠周到的設計是，負載r14接在集電極和vcc之間。
這樣，就可以避免負載的變化被耦合到控制端。從電流的方向可以明顯看出。
（3）pmos，適合源極接vcc漏極接負載到gnd的情況。只要柵極電壓低於源極電壓（此處為vcc）超過vth（即vgs超過-vth），pmos即可開始導通。
柵極用低電平驅動pmos導通（vgs < vt 高電平時不導通）；柵極除限流電阻外，更優的設計是，接上拉電阻10-20k到vcc，使柵極控制電平由低變高時，柵極能夠更快被拉高，pmos能夠更快更可靠地截止。
（4）nmos，適合源極接gnd漏極接負載到vcc的情況。只要柵極電壓高於源極電壓（此處為gnd）超過vth（即vgs超過vth），nmos即可開始導通。
柵極用高電平驅動nmos導通（vgs > vt 低電平時不導通）；柵極除限流電阻外，更優的設計是，接下拉電阻10-20k到gnd，使柵極控制電平由高變低時，柵極能夠更快被拉低，nmos能夠更快更可靠地截止。
所以，如上所述
對pmos來說，最優的設計是，負載r16接在漏極和gnd之間。不夠周到的設計是，負載r16接在源極和vcc之間。
對nmos來說，最優的設計是，負載r18接在漏極和vcc之間。不夠周到的設計是，負載r18接在源極和gnd之間。
為避免負載的變化被耦合到控制端（基極ib或柵極vgs）的精密邏輯器件（如mcu）中，負載應接在集電極或漏極。
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學過模擬電路，但都忘得差不多了。重新學習mos管相關知識，大多數是整理得來並非原創。如有錯誤還請多多指點！先上一張圖 一 一句話mos管工作原理 nmos的特性，vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況 低端驅動 只要柵極電壓達到一定電壓 如4v或10v,其他電壓，看手冊 就可以了。pm...
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