ldo燒壞cpu問題總結

2021-08-14 21:31:30 字數 1385 閱讀 7434

一:現象

電路板上電的時候,

cpu有機率損壞,表現為

cpu的

ad取樣不准。

去往現場除錯,在

5v電源處併聯上乙個

tvs管之後,經過測試沒有損壞。

ldo為

12v輸入,

5v電源輸出。

二:分析

1:由於電路的

5v電源會對外供電,有對外介面,是可能有靜電擊穿的。

2:電路的電源在開關的時候產生高壓,損壞

cpu。

三:實驗

1:對電路反覆斷電,上電,經過測試,斷電上電之間時間小於約

60ms

的時候,

ldo的使出會有有個尖峰。

5v電源和地之間加上

tvs之後,對電路反覆斷電,上電,經過測試,斷電上電之間時間小於約

30ms

的時候,

tvs管導通,尖峰迅速放電。

,對晶元

en處的電壓分壓,大約為

1/4 vin

。對電路反覆斷電,上電,經過測試。此時沒有尖峰了。

4:對晶元

lm2936m-5.0

做測試,對電路反覆斷電,上電,經過測試。沒有出現尖峰現象。

四:結論和分析1:

晶元的原理框圖上,晶元的功能較多,導致反饋迴路的延時較大。當輸入電壓過低的時候,輸出電壓過低,晶元將全開

mos管。然後輸入電壓突然上公升,

mos管關閉較慢,會導致輸出電壓直接通過

mos管輸出,形成乙個尖峰。

2:如果能夠保證

en處的電壓小於關斷電壓(

0.7v

),讓晶元關閉後,再給晶元啟動,將不會出現尖峰。

五:解決方法:1:在

5v處加上

tvs,防止靜電通過介面擊穿

cpu。在

5v電源上電尖峰較高的時候,能保護

cpu。

2:通過分壓提高

en的關斷電壓,最好能在

vin降到

5.6v

之前關閉晶元。這樣能保證晶元輸出不會有尖峰。(

10k電阻和

2k電阻分壓)。

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