1、從nor flash啟動時，pc指向nor flash的零位址；從nand flash啟動時，pc指向晶元內部的sram令位址，並在啟動階段，將nand flash前4k程式轉移到片內sram
2、片外sdram的起始位址為0x30000000（s3c2440只有bank6和bank7能接sdram，bank6起始位址為0x30000000），當nand flash內的程式遠大於4k時，需通過前4k程式，將nand flash內程式拷貝到sdram，再將pc指向sdram執行（指向手段採取ldr）。
3、所謂n位元組對齊，就是根據其儲存位址0x***%n==0？，等於零時，可選為儲存位址，不為零時，遞增改變位址，直到等於零位止。n值由有效對齊位確定，有效對齊位時自身對齊位和指定對齊位中較小乙個。對於結構體和類，自身對齊位為其成員最大對齊位，最終結構體或類所佔空間應是自身對齊位的整數倍。
4、arm-linux-ld中-t所指定的鏈結位址只是表明程式理論上應該執行的位址，等價於反編譯後第一列的鏈結位址，但並不等於實際執行位址。當理論與實際相符合時，即進入了主程式
5、s3c2440的sdram晶元k4s561632c使用13根位址線訪問32m記憶體空間實現辦法：儲存塊分為bank0~bank3，行位址13位，列位址9位，復用a0-a12。行列位址構成的位址空間為2^22=4194304=4096k=4m，即行列位址可以在乙個儲存塊上定址4m個儲存單元，每個儲存單元可儲存2個位元組（即16位），故在乙個儲存塊上可以定址8m儲存空間，4個儲存塊即為32m。
6、sdram晶元共占用13根行位址線+9跟列位址線+2根bank選擇線=標號24根s3c2440位址線，實際由於復用埠致用了15根。sdram的a0接s3c的addr2，bank接24、25。原因是：sdram本是16位資料線，而arm是32位處理器，一次性要發出32位資料即4位元組，通常將兩塊16位sdram晶元並列組成32位進行接收，併聯晶元所使用位址為同一位址。由上條可知，sdram乙個位址對應的儲存空間是兩個位元組，當併聯後對應4個位元組，但arm是乙個位址對應乙個位元組，即乙個sdram位址，對應arm的4個位址。
由於arm讀寫資料時，位址格式也剛好是4位元組對齊，即以0x00、0x04、0x08……遞增，對應於sdram的0、1、2……。即arm想得到0x04-7資料時，發出指令0x04，此時訪問sdram的0x01就可以滿足，為了讓arm發出的0x04到sdram中為0x01，即將0x0000 0100變成0x0001，只需在接線時相對arm左移兩個位，即左移兩個口。
觀點二：位址的尾端r0、r1當同時取1時，代表的值等於3，小於arm指令對齊值4的限制，接不接無影響。
11 裸板控制IO
控制器就是相當於乙個介面，這個介面用於與特定用途的硬體模組通訊及資料的互動。gpio表示通用的io介面，這些介面上面可以接不同的硬體模組。gpio口共分成組 gpioa,gpioc,gpiod,gpioe,gpiof,gpiog,gpiol。每組裡面有數個不等的io口。gpio口都是多功能的，可以做...
裸板程式設計遇到的問題
跟著教程學習的過程中，由於太久沒有玩開發板了，之前教程裡講過的內容都忘了，今天將記錄下來 編譯led燈的步驟 1.arm linux gcc march armv5te nostdlib c o led.o led.c o 選項就是輸出檔名，output filename c 選項就是只編譯不鏈結 ...
PCB板潮濕絕緣試驗問題
文章參考 筆者進行產品做潮濕實驗時，拿出來做耐壓測試，在耐壓時看到電流在在逐漸增加，超過實驗指標 通過查詢網路發現有類似的現象 溫度40度相對濕度93 下放置120小時，拿出電源產品進行耐壓測試。在打耐壓時會看到電流逐漸增加，當達到一定電流時擊穿，這時在pcb板上的放電部位會出現一種發白且放電的痕跡...