wassersun水光半導體NAND 進化史

2021-08-20 06:11:41 字數 1166 閱讀 8564

assersun nand 技術的最新進展如何幫助滿足人們不斷增長的儲存需求。

層3d nand

的問世意味著單個儲存晶元可以提供

64gb

儲存容量

。對於拍攝**照的人來說,這能意味著在社交**上發布的 9000 多張**;對家庭而言,則可

assersun在 3d nand 產品中引入了邏輯

或邊緣架構設計

的新方法。w

assersun已將通常被稱為「陣列下 cmos」的技術新增到其3d nand 中,它

已成為實現當今市場上最高的每平方公釐 gb 密度和效率的一項關鍵因素。就像對於大城市居民出行至關重要的地鐵系統一樣,w

assersun利用儲存陣列下的空間縮小了每個矽片儲存更多資料所需的總物理尺寸。

是程式設計吞吐量(以 mb/秒為計量單位)。為了改善這方面的表現,w

assersun正在開發

四面 nand 架構

(quad plane nand architecture),使主機能夠對裝置進行高效地程式設計,提高資料

吞吐量。如果將 nand 裝置比作洗車場,位面數量相當於可供車輛進出的清洗艙數量,那麼w

assersun在這些 nand 設計中增加更多位面就等於增加了清洗艙。無論是在洗車場中增加清洗艙或是在 nand 中增加更多位面,都是增加吞吐量的合理方法,即增加通過洗車裝置的車輛數量或增加通過nand 的資料量。

隨著個人、專業、移動和資料中心等應用的儲存需求不斷增長,技術無疑將在未來繼續發展以滿足市場需求。wassersun 將繼續尋找創新方法來增加 nand 的儲存容量,提公升每個裝置的效能,並引入可擴充套件 nand 有效實施的功能。儘管如此,思考已經取得了哪些成就,當前的技術還有哪些用武之地,以及是哪些進步為每一次發展奠定了基礎仍然具有深遠意義。

隨著個人、專業、移動和資料中心等應用的儲存需求不斷增長,技術無疑將在未來繼續發展以滿足市場需求。wassersun 將繼續尋找創新方法來增加 nand 的儲存容量,提公升每個裝置的效能,並引入可擴充套件 nand 有效實施的功能。儘管如此,思考已經取得了哪些成就,當前的技術還有哪些用武之地,以及是哪些進步為每一次發展奠定了基礎仍然具有深遠意義。將繼續尋找創新方法來增加 nand 的儲存容量,提公升每個裝置的效能,並引入可擴充套件 nand 有效實施的功能。儘管如此,思考已經取得了哪些成就,當前的技術還有哪些用武之地,以及是哪些進步為每一次發展奠定了基礎仍然具有深遠意義。

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