認識半導體

2021-10-25 07:57:48 字數 1049 閱讀 8247

半導體受到外界光和熱激勵時,其導電能量將發生顯著變化。

在純淨的半導體中加入微量的雜誌,其導電能力也會顯著提高。

半導體的導電性與價電子有關。

內部結構

由於p的最外層電子缺少1個電子,即形成乙個空穴。鄰近原子的電子填補這個空穴,就會留下新的空穴

空穴為多子,自由電子為少子

注意:整個半導體還是呈電中性的。

內部結構

自由電子為多子,空穴為少子。

半導體:效能處於導體和絕緣體之間。

當半導體收到外界光和熱的激勵時,導電能力將發生顯著變化。

在純淨的半導體中加入微量的雜誌,導電能量將顯著提高。

空穴:電子掙脫共價鍵的舒服稱為自由電子後,共價鍵留下的乙個空位。

本徵半導體:既沒有多餘的空穴,也沒有多餘電子。

本徵激發:在一定的溫度下,被束縛的價電子獲得足夠的隨機熱振動能量而掙脫共價鍵的束縛,成為自由電子。

自由電子與空穴的復合:乙個自由電子和乙個空穴相遇,自由電子進入空穴中,兩者同時消失的現象。

雜質半導體:在本徵半導體中加入一定濃度的雜質原子。

p型半導體:在矽晶體中加入少量三件元素雜質。

n型半導體:在矽晶體中加入少量無價元素雜質。

受主雜質:在矽晶體中新增的最外層能接受電子的雜質。

施主雜質:在矽晶體中新增的最外層能提供電子的雜質。

多子:多數載流子。

少子:少數載流子。

飄移:由於電場作用而導致載流子運動。

擴散:載流子從高濃度區域向低濃度區域的擴散。

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