本徵半導體：將純淨的半導體經過一定的工藝過程製成的單晶體。
雜質半導體：在本徵半導體中摻入少量合適的雜質元素。摻入五價元素（如磷），得到n型半導體（n-negative）；摻入三價元素（如硼），得到p型半導體（p-positive）。
載流子：運載電荷的粒子。對本徵半導體來說有兩種，自由電子和空穴。
pn結：將p型半導體和n型半導體製作在同一塊矽片上，在交介面形成pn結。
多子：多數載流子。n型半導體中為自由電子，p型半導體中為空穴。少子則相反。
擴散運動：由於濃度差而產生的運動。
漂移運動：在電場力作用下，載流子的運動。
在p區和n區交界處，在擴散作用下，如圖a所示，p區的空穴向n區擴散，n區的自由電子向p區擴散。在交介面，空穴和自由電子復合，多子濃度下降，分別在p區產生負離子區，n區產生正離子區，它們是不能移動的，被稱為空間電荷區，從而形成內電場。隨著電場強度的增強，擴散運動會受到抑制。在內電場作用下，少子產生漂移運動，並與擴散運動的多子達到動態平衡，從而形成pn結。
pn結兩端外加電壓，擴散電流不再等於漂移電流，pn結有電流通過，表現出單向導電性。
正極接p端，負極接n端。外電場將多數載流子推向空間電荷區，削弱電場，使擴散運動加快，漂移運動減弱。由於電源的作用，擴散運動將源源不斷地進行，形成正向電流，pn結導通。
正極接n端，負極接p端。外電場使空間電荷區變寬，加強了內電場，阻止擴散運動，加劇漂移運動，形成反向電流，也稱為截止電流。因為少子數目極少，即使所有少子都參與漂移運動，反向電流也極小，可忽略不計，認為處於截止狀態。
半導體基礎知識
1.基本概念 本徵半導體 將純淨的半導體經過一定的工藝過程製成的單晶體。雜質半導體 在本徵半導體中摻入少量合適的雜質元素。摻入五價元素 如磷 得到n型半導體 n negative 摻入三價元素 如硼 得到p型半導體 p positive 載流子 運載電荷的粒子。對本徵半導體來說有兩種，自由電子和空穴...
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