【techweb】近日，sk海力士宣布，已經成功研發並批量生產128層堆疊的4d nand快閃儲存器晶元，雖然包括sk海力士在內多家廠商都研發出了1tb qlc快閃儲存器，但這是tlc快閃儲存器第一次達到單顆1tb。距離去年量產96層4d快閃儲存器只過去了八個月，sk海力士還表示，正在研發176層堆疊的下一代4d nand快閃儲存器。
sk海力士的4d nand快閃儲存器技術是去年10月份官宣的，sk海力士這次使用tlc設計開發新產品，相比先前96層使用的qlc，tlc的效能、處理速度都有了不同程度的提公升，還應用了垂直蝕刻、多層薄膜顆粒形成、低電力迴路設計等技術，製造出堆疊3600億以上nand顆粒、128層的1tb產品，不僅達到業界最高堆疊數，也超越三星電子量產的90層nand。
利用這種架構設計，sk海力士在從96層堆疊到128層堆疊時，雖然層數增加了三分之一，但是製造工藝步驟減少了5％，整體投資也比之前減少了60％。新的128層4d快閃儲存器單顆容量1tb，是業內儲存密度最高的tlc快閃儲存器，每顆晶圓可生產的位元容量也比96層堆疊增加了40％。
sk海力士相關人士表示，新快閃儲存器可以在1.2v電壓下實現1400mbps的資料傳輸率，可用於高效能、低功耗的手機儲存、企業級ssd。
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