si/pi是涉及數位電路正確操作的相關的兩種分析。
對pcb上覆雜走線和平面形狀的分析，可用於確定由於銅的電阻將損失多少電壓。還可以使用直流壓降分析來確定高電流密度區域。實際上，可以使用熱**器對它們進行協同**，以檢視熱效應。幸運的是，針對直流壓降問題的解決方案非常簡單：新增更多的金屬。這些額外金屬可能會採用更寬和/或更厚的走線和平面形狀、額外平面或額外過孔。
旨在確定和最大限度減少電路板不同ic位置上電源與地面之間的阻抗，去耦分析通常會驅動pdn中所用電容器的值、型別和數量的變化
它們可以包括圍繞電路板傳播的、來自ic電源管腳中的雜訊，可通過去耦電容器對其進行控制。在許多情況下，這種雜訊是由訊號切換(從1到0及從0到1)引起的，因此它與訊號完整性密切相關。但在所有情況下，這些電源完整性分析的最終目標是驅動pdn的變化：電源/地面平面對、走線、電容器和過孔。
較高頻率的能量分布在整個傳輸平面上。這立即使此分析比基本訊號完整性更複雜，因為能量將沿x和y方向移動，而不是僅沿傳輸線乙個方向移動。在直流中，建模需要計算走線的串聯電阻
、平面形狀和過孔相對較為簡單。但是對於高頻率，分析pdn的不同位置上電源與地面之間的阻抗需要複雜的計算。阻抗將根據電路板的位置(電容器的放置位置、安裝方式、型別及電容值)而異。高頻行為(如安裝電感
和平面擴散電感)需要包括在建模中，以便生成準確的去耦分析結果。存在簡單版本的去耦分析(通常稱為集總分析)，在此分析中，會將pdn視為乙個節點來計算其阻抗。這通常是可一次性成功的有效而快速的初步分析，可確保有足夠的電容器且它們具有正確的值。然後，執行分布式去耦分析可確保在電路板的不同位置滿足pdn的所有阻抗需求。
電源完整性1
1.為什麼要重視電源雜訊問題 晶元內部有成千上萬個電晶體，這些電晶體組成內部的閘電路 組合邏輯 暫存器 計數器 延遲線 狀態機 以及其他邏輯功能。隨著晶元的整合度越來越高，內部電晶體數量越來越大。晶元的外部引腳數量有限，為每乙個電晶體提供單獨的供電引腳是不現實的。晶元的外部電源引腳提供給內部電晶體乙...
電源完整性設計
由於晶元工藝不斷改進，從0.35um 0.18um 0.13um到目前的40nm甚至28nm，晶元的核心電壓也在不斷降低，從3.3v 1.8v 1.5v到40nm器件的0.9v，晶元對電源的波動越來越敏感。與si相比，電源完整性pi是乙個比較新的概念，實際上pi也屬於si研究的範疇，它和si之間的關...
MySQL資料完整性（實體完整性 域完整性）
資料完整性 為保證插入到資料庫中的資料是正確的，防止使用者輸入錯誤的資料 分為實體完整性 域完整性 參照完整性 下節再說 1 實體完整性 實體指的是表中的一行，一行記錄對應乙個實體 通過主鍵實現 主鍵 關鍵字 primary key 特點 不能為null，並且唯一。邏輯主鍵 推薦 例如id,不代表實...