同步開關雜訊抑制辦法：
1、如果可能，對關鍵訊號如鎖存和時鐘訊號使用差分傳輸。差分傳輸可以消除共模雜訊並極大提供訊號質量。 2
、降低系統供給電源的電感，增加系統電源和晶元封裝的旁路電容。 3
、在晶元和電源處放置容量大、串聯電感較小的電容，保證電源及時提供系統中所有器件足夠的電流； 4
、給處理器的核心邏輯和
i/o邏輯分別供電，這可以減少由於
i/o邏輯產生的
ssn耦合到核心並使觸發器狀態錯誤的機會減少。 5
、選擇pcb
走線的正確的參考平面從而減小需要流過去耦電容的電流。
控制電源阻抗方法：
1、用較厚、較粗的電源線，並盡可能減少長度。 2
、使用電阻率低的材料，比如銅。 3
、電源盡量靠近
gnd。 4
、降低接觸電阻。 5
、減小電源內阻。 6
、合理使用去耦電容。
抑制諧振及邊緣效應方法：如果抑制了電源平面上的高頻雜訊，就能很好的減輕邊緣的電磁輻射，通常採用方法是新增去耦電容抑制邊緣輻射，但邊緣效應是無法完全避免的，在設計
pcb時，要盡量讓訊號走線遠離鋪銅區邊緣，以避免受到太大的干擾。
（訊號完整性 電源完整性）SI PI分析之二
si pi是涉及數位電路正確操作的相關的兩種分析。對pcb上覆雜走線和平面形狀的分析，可用於確定由於銅的電阻將損失多少電壓。還可以使用直流壓降分析來確定高電流密度區域。實際上，可以使用熱 器對它們進行協同 以檢視熱效應。幸運的是，針對直流壓降問題的解決方案非常簡單 新增更多的金屬。這些額外金屬可能會...
電源完整性1
1.為什麼要重視電源雜訊問題 晶元內部有成千上萬個電晶體，這些電晶體組成內部的閘電路 組合邏輯 暫存器 計數器 延遲線 狀態機 以及其他邏輯功能。隨著晶元的整合度越來越高，內部電晶體數量越來越大。晶元的外部引腳數量有限，為每乙個電晶體提供單獨的供電引腳是不現實的。晶元的外部電源引腳提供給內部電晶體乙...
電源完整性設計
由於晶元工藝不斷改進，從0.35um 0.18um 0.13um到目前的40nm甚至28nm，晶元的核心電壓也在不斷降低，從3.3v 1.8v 1.5v到40nm器件的0.9v，晶元對電源的波動越來越敏感。與si相比，電源完整性pi是乙個比較新的概念，實際上pi也屬於si研究的範疇，它和si之間的關...