空間電荷層是不含有載流子的區域，即絕緣體。
當施加正向電壓，即v
p>vn
v_>v_
vp>vn
時，p極的多子空穴受排斥作用，向空間電荷層移動，從而導致空間電荷層p側變窄；n極的多子電子受排斥作用，向空間電荷層移動，從而導致空間電荷層n側變窄。最終，導致空間電荷層變窄。
當施加反向電壓，即v
pv_vp
時，p極的多子空穴受吸引作用，向p極移動，從而導致空間電荷層p側變寬；n極的多子電子受吸引作用，向n極移動，從而導致空間電荷層n側變寬。最終，導致空間電荷層變寬。
p型半導體和n型半導體緊密接觸，由於兩邊空穴和電子的濃度差，p區的空穴會向n區擴散，同樣n區的電子會向p區擴散，這樣就形成了乙個空間電荷區，而空間電荷區的存在會使少子漂移，正好可以抑制這種擴散的發生，當兩者達到平衡時，空間電荷區的寬度也就確定了，所以說空間電荷區的寬度是由擴散和漂移共同決定的。
當溫度公升高時，本徵載流子的濃度增大，pn結兩邊少子的濃度就會增大，這樣會使少子的漂移增強，而因為兩邊的濃度梯度不變，擴散強度不會發生變化，綜合這兩者，再達到新的平衡後，空間電荷區就會變窄。
)其中，
i
ii是pn結導通電流；
u
uu是pn結兩端電壓；
i si_
is是反向飽和電流（10−
15a10^a
10−15a
）；ut=k
tqu_=\frac}
ut=qk
t是溫度電壓當量；
utu_
ut的物理意義：穿越pn結的電荷與電壓之間的關係。當室溫為300k
kk時，ut=
26mvu_=26mv
ut=26
mv。t
tt是熱力學溫度（單位：開氏溫度k
kk）；
k
kk是玻爾茲曼常數(8.63×1
0−6v
/k8.63\times10^v/k
8.63×1
0−6v
/k)；q
qq是單位電子電荷量（單位：庫侖c）。
擁有以下兩個結論：
1）在保持正向電流不變時，溫度每公升高1∘c
1^c1∘
c，結電壓減少約2
22~2.5mv
2.5mv
2.5mv。
2）溫度每公升高10∘
c10^c
10∘c
，反向飽和電流isi_
is增大一倍。
當對pn結外加反向電壓超過一定的限度，pn結會從反向截止發展到反向擊穿。u(b
r)u_u(
br)
稱為pn結的擊穿電壓。反向擊穿破壞了pn結的單向導電特性，利用此原理可以製成穩壓管。電擊穿可以分為齊納擊穿和雪崩擊穿。
擊穿種類
摻雜情況
耗盡層寬度
擊穿機理
齊納擊穿
重摻雜
窄耗盡區有很強的電場，不是很大的反偏電壓就能使耗盡層的
價電子直接被強電場拉出共價鍵，產生大量電子、空穴對。
雪崩擊穿
輕摻雜
寬電場強度較弱，較小的反偏電壓無法產生擊穿，當加較大的
反偏電壓時，少子在較長的空間電荷區不斷加速，動能增大
會撞擊耗盡區的中性原子，產生電子、空穴對，反覆作用使
載流子數目迅速增加。
電擊穿是可逆的（可恢復，當有限流電阻時）。電擊穿後如果沒有限流措施，將會發生熱擊穿現象。熱擊穿是不可逆的，會破壞pn結結構（不可恢復，燒壞）。
電容種類
電壓情況
產生機理
勢壘電容ctc_
ctpn結反偏時更明顯
在耗盡層區域，外加電壓變化，耗盡區的寬度變化，則耗盡區中的正負離子數目變化，即儲存的電荷量變化。
擴散電容cdc_
cdpn結正偏時更明顯
在非耗盡層區域，多子擴散到對方區域形成非平衡少子，其濃度隨外加電壓的變化而變化，因此儲存的電荷量也發生變化。
PN結是什麼？PN結有什麼特徵？PN結的應用
pn結學習思維導圖 在看接下來的內容之前，我們先看看本文的思維導圖。首先對pn結的定義及原理進行分析。了解原理之後，來分析學習它的特徵，有了原理特徵當然是要應用了。是不是有點晦澀？學習就是要逐漸理解那些晦澀的定義，好了進入主題。我們首先拿出來一塊矽 鍺 片 本徵半導體 靈光一閃我們就在這個矽片上確定...
PN結的理解
載流子是包括自由電子和空穴的。而空穴所謂的運動方向其實是對於自由電子來說的，與自由電子的方向相反。溫度的公升高會使載流子增加。回答 為了能夠控制導電性。當加入p後與其他的相比較會多出乙個電子，但這個電子很容易掙脫，形成自由電子所以n型半導體的多數載流子是自由電子少數載流子是空穴。回答 少了，因為多數...
電路筆記 PN結和二極體
1 p區參雜3價元素，因此多數載流子為空穴，p positive 正 n 區摻雜5價元素，因此多數載流子為電子，n negative 負 2 因為正負離子濃度差，產生擴散運動，形成空間電荷區，p區一側為內電場負 低電位 n區一側為內電場正 高電位 恰好阻止了擴散 3 因為內電場的作用，p區的少子向n...