（pn結學習思維導圖）
在看接下來的內容之前，我們先看看本文的思維導圖。首先對pn結的定義及原理進行分析。了解原理之後，來分析學習它的特徵，有了原理特徵當然是要應用了。
是不是有點晦澀？學習就是要逐漸理解那些晦澀的定義，好了進入主題。我們首先拿出來一塊矽（鍺）片（本徵半導體），靈光一閃我們就在這個矽片上確定一塊區域，細緻的我們打算用刀片去除這區域表面的二氧化矽層，因為他會阻擋我們摻入雜質（p型和n型雜質即雜質半導體），想了想刀片太粗魯了，於是我們使用腐蝕（fǔ shí）劑。去除表面的二氧化矽之後在1000攝氏度的高溫下，將其放在p（n）型雜質氣體中，氣體中的雜質就會向矽片上擴散形成了p型半導體，使用同樣的方法摻雜另外一種雜質。在摻雜完成之後，在p型半導體和n型半導體之間，成的一塊區域就是我們所說的pn結。
(**於網路)
摻雜半導體是什麼？
p型半導體
在矽晶體中摻雜少量硼元素（或銦元素）（即我們之前提到的在
pn結只製作過程中所摻雜的雜質氣體），稱為
p型半導體，
n型半導體
在矽晶體中摻雜少量磷元素
（或銻元素
）（即我們之前提到的在
pn結只製作過程中所摻雜的雜質氣體），稱為
p型半導體，
pn結是怎樣形成的？
什麼是空穴？什麼是多子什麼是少子？什麼是施主原子？什麼是受主原子？
在p型半導體中，硼原子的最外面有三個電子，而矽原子外部有4個電子，當硼摻雜入矽中以後就會形成三個共價鍵，但是硼有4個電子卻少了乙個電子來形成共價鍵。比如有兩個班級乙個是彭老師的班級，另乙個是矽老師的班級，我們簡稱硼班和矽班，現在硼班3個同學沒有座位，矽班可以給硼班4個座位，但是分配完多出了乙個位置，這個空出來的座位就被稱為空穴。這時候多出來的這個座位（空穴）就被稱為多子，多出座位缺少了學生（電子），所以這個學生就被稱為少子。這裡的矽班是把自己座位給了硼班，所以矽被稱為施主原子，硼被稱為受主原子。
在n型半導體中，磷原子最外面有5個電子，而矽原子外部有4個電子，當磷摻雜入矽中以後就會形成4個共價鍵，但是磷原子多出了乙個電子。好比現在我們讓磷班和矽班合併，矽班還是需要四個學生來組合同桌，但是磷班給了5個同學，組合完同桌之後，發現多出來乙個同學在那站著也沒有座位。這時候多出來的這個同學（自由電子）就被稱為多子，缺少的座位（空穴）被稱為少子。這裡的磷班是把自己的學生給了矽班，所以硼老師也被稱為施主原子（硼原子），矽班被稱為受主原子（矽原子）
下面我們就可以說pn結是怎樣形成的了，n區和p區挨的很近。n區域自由電子多空穴少，p區域空穴多自由電子少。這時候交界處n區的自由電子就會像p區擴散，而p區的空穴會向n區擴散，在交界處就形成了空間電荷區。這時候n區少了自由電子，本來平衡的電中性就會被打破，而帶正電，而p區域少了空穴因此帶負電，這時就會產生乙個內電場，即從n到p的正向電壓，我們知道之前電子是從n像p擴散的，但是現在正向電壓也是從n向p，所以勢必會阻止自由電子向p擴散（規定自由電子的流動方向與電壓方向相反）。阻止的過程n的空穴流向p，p的自由電子流向n，這樣內電場減小，之前的擴散運動又加強了，反反覆覆最終達到平衡。
（**於網路）
概述pn結穩定之後，要想實現電流的流動必須外部施加電壓，打破內部的平衡，從而達到目的。
pn結的反向擊穿性是什麼？
在n端接正向電壓，p端接負極，這樣電壓從n到p與內電場的方向一致，內電場增強，自由電子不斷向n區域流動，空間電荷區不斷變寬，如果不做限流處理最終將導致無法承受大量的自由電子湧入最終pn結燒毀。
pn結的單向導電性是什麼？
當p接正n接負時，內電場減小，空間電荷區由於自由電子不斷從n向p擴散，空穴從p向n擴散變窄，最終自由電子進入p區不斷流出，空穴進入n區不斷流出，即導通。反之，如果n正p負，空間電荷區越來越大，越大n的自由電子和p的空穴越相互擴散，而由於外部施加了電壓內電場也在增大，兩個方向的電流相互對抗，不分彼此時不能導通，一旦外部電流過大就反向擊穿了pn結。
pn結的伏安特性是什麼？
伏安特性的表示式為：
id——通過pn結的電流
vd——pn結兩端的外加電壓
vt——溫度的電壓當量，vt=kt/q=t/11600 = 0.026v，其中k為波耳茲曼常數（1.38×10–23j/k），t為熱力學溫度，即絕對溫度（300k），q為電荷（1.6×10–19c）。在常溫下，vt≈26mv。
e——自然對數的底
is——反向飽和電流，對於分立器件，其典型值為10-8~10-14a的範圍內。中pn結，其is值則更小.
當vd>;>;0，且vd＞vt時，；
當vd＜0，且時，id≈–is≈0。
由此可看出pn結的單向導電性
pn結的電容特性是什麼？
兩個相互靠近的導體，中間夾一層不導電的絕緣介質，這就構成了電容器。當加反電壓時p區、空間電荷區、n區就形成了乙個電容器。施加電壓的大小會影響空間電荷區的寬窄，因此電壓的大小會影響電容的大小。
利用單向導電性，我們可以作為防止電流反向流動使用，因為反向電壓擊穿後電壓不變所以做穩壓二極體使用，根據電容特性可以做變容二極體使用。
關於PN結
一直以來，我對pn的形成中的幾個細節耿耿於懷。最近和乙個小夥伴討論後，更加深了認識。對於半導體而言，載流子的概念讓人感到迷糊。對於n型半導體，比如在si基里摻雜p原子，此時p原子外層有9個電子，其中的1個就會比較自由，可以移動，這很好理解。而p型半導體就不怎麼好理解，摻入了b原子後，由於除了4個共價...
PN結講解
可能大家在使用半導體器件的時候只是在使用它的電氣屬性，並沒有很好的關心下它是什麼原因才有了這樣的電氣屬性，那麼我們本篇就從物理結構分析下pn結吧。首先看一張比較陳舊的圖圖 1.怎樣選取母體 基片 答 我們在選取襯底時首先選取電中性的，在元素週期表中，外部電子數目處於4 c,si,ge，sn，pb 的...
PN結的理解
載流子是包括自由電子和空穴的。而空穴所謂的運動方向其實是對於自由電子來說的，與自由電子的方向相反。溫度的公升高會使載流子增加。回答 為了能夠控制導電性。當加入p後與其他的相比較會多出乙個電子，但這個電子很容易掙脫，形成自由電子所以n型半導體的多數載流子是自由電子少數載流子是空穴。回答 少了，因為多數...