flash位反轉
由於flash固有的特性，在讀寫資料過程中，偶然會產生一位或幾位資料錯誤（這種概率很低），bit位從「1」變為「0」，或者從「1」變為「0」。
當位反**生在關鍵的**、資料上時，有可能導致系統崩潰。當僅僅是報告位反轉，重新讀取即可：如果確實發生了位反轉，則必須有相應的錯誤檢測/恢復措施。
在nand flash上發生位反轉的概率很高，推薦使用edc/ecc進行錯誤檢測和恢復。
nand比nor出現概率高，是因為nand是單浮柵極結構，但是nor是控制管+浮柵極結構，控制管和浮柵極結構，在對其中浮柵極操作時首先要使得控制管有效，所以相當於增加了單獨選中單元，不容易影響到其他地方。
具體原因：
漂移效應（drifting effects）
漂移效應指的是，nand flash中cell的電壓值，慢慢地變了，變的和原始值不一樣了。
程式設計干擾所產生的錯誤（program-disturb errors）
此現象有時候也叫做，過度程式設計效應（over-program effect）。
對於某個頁面的程式設計操作，即寫操作，引起非相關的其他的頁面的某個位跳變了。
讀操作干擾產生的錯誤（read-disturb errors）
此效應是，對乙個頁進行資料讀取操作，卻使得對應的某個位的資料，產生了永久性的變化，即nand flash上的該位的值變了。
位反轉演算法
比如0x12 0001 0010 反轉後變成 0100 1000 即0x48 static unsigned char buf 0x12,buf1 0 static int m,n for m 7,n 0 m n 0 m n buf buf1 將兩位元組short型別數高低位元組取出來 unsign...
反轉位元組中的位
使用有限的記憶體操作完成位元組中的位反轉。完成後，修改 讓它執行得盡可能快 但沒有記憶體限制 優化和正確性相比，總是居於次要位置。uint8 t swapbitsinbyte uint8 t input uint8 t output 0 for uint8 t i 0 i 8 i if input ...
解析高效位反轉
把乙個二進位制數反轉 逆序輸出 的 如下 unsigned char fun4 unsigned char c 實際上，這段 的原理很簡單。就是先2位一組反轉，再4位一組反轉，最後8位一組反轉。其中，4位一組反轉時，把一組分為兩半看，每一半都已經反轉了，所以只要將兩半對調即可。8位一組同理。對於2 ...