儲存器件總結

2021-09-30 16:46:36 字數 1920 閱讀 3878

1、按儲存介質分類

(1)半導體儲存器用半導體器件組成的儲存器稱為半導體儲存器;特點:整合度高、容量大、體積小、訪問速度快、功耗低、**便宜、維護簡單.主要分兩大類:雙極型儲存器:ttl型和ecl型.金屬氧化物半導體儲存器(簡稱mos儲存器):靜態mos儲存器和動態mos儲存器。

(2)磁表面儲存器用磁性材料做成的儲存器稱為磁表面儲存器,簡稱磁儲存器。它包括磁碟儲存器、磁帶儲存器等。特點:體積大、生產自動化程度低、訪問速度慢,但儲存容量比半導體儲存器大得多且不易丟失。

(3)雷射儲存器資訊以刻痕的形式儲存在盤面上,用雷射束照射盤面,靠盤面的不同反射率來讀出資訊。光碟可分為唯讀型光碟(cd-rom)、只寫一次型光碟(worm)和磁光碟(mod)三種.

2.按訪問方式分類

(1)隨機儲存器(ram):如果儲存器中任何儲存單元的內容都能被隨機訪問,且訪問時間與儲存單元的物理位置無關,則這種儲存器稱為隨機儲存器(ram)。ram主要用來存放各種輸入/輸出的程式、資料、中間運算結果以及存放與外界交換的資訊和做堆疊用。隨機儲存器主要充當高速緩衝儲存器和主儲存器。(sram和dram)

(2)唯讀儲存器(rom):唯讀儲存器是一種對其內容只能讀不能寫入的儲存器,即預先一次寫入的儲存器。通常用來存放固定不變的資訊。如經常用作微程式控制儲存器。目前已有可重寫的唯讀儲存器。常見的有掩模rom(mrom),可擦除可程式設計rom(eprom),電可擦除可程式設計rom(eeprom).rom的電路比ram的簡單、整合度高,成本低,且是一種非易失性儲存器,計算機常把一些管理、監控程式、成熟的使用者程式放在rom中。

3.按資訊的可儲存性分類

非永久記憶的儲存器:斷電後資訊就消失的儲存器,如半導體讀/寫儲存器ram。

永久性記憶的儲存器:斷電後仍能保持資訊的儲存器,如磁性材料做成的儲存器以及半導體rom.

4.按在計算機系統中的作用分類

主儲存器 輔助儲存器緩衝儲存器(多是ram) 控制儲存器(rom)

快閃儲存器是一種非易失性( non-volatile )記憶體,在沒有電流**的條件下也能夠長久地保持資料,其儲存特性相當於硬碟,這項特性正是快閃儲存器得以成為各類便攜型數字裝置的儲存介質的基礎。

1、nand 快閃儲存器的儲存單元則採用序列結構,儲存單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行(一頁包含若干位元組,若干頁則組成儲存塊, nand 的儲存塊大小為 8 到 32kb ),這種結構最大的優點在於容量可以做得很大,超過 512mb 容量的 nand 產品相當普遍, nand 快閃儲存器的成本較低,有利於大規模普及。

nand 快閃儲存器的缺點在於讀速度較慢,它的 i/o 埠只有 8 個,比 nor 要少多了。這區區 8 個 i/o 埠只能以訊號輪流傳送的方式完成資料的傳送,速度要比 nor 快閃儲存器的並行傳輸模式慢得多。再加上 nand 快閃儲存器的邏輯為電子盤模組結構,內部不存在專門的儲存控制器,一旦出現資料壞塊將無法修,可靠性較 nor 快閃儲存器要差。

2、nor的特點是晶元內執行(xip, execute in place),這樣應用程式可以直接在flash快閃儲存器內執行,不必再把**讀到系統ram中。nor的傳輸效率很高,在1~4mb的小容量時具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除速度大大影響了它的效能。

nand結構能提供極高的單元密度,可以達到高儲存密度,並且寫入和擦除的速度也很快。應用nand的困難在於flash的管理和需要特殊的系統介面。

nor的讀速度比nand稍快一些。

● nand的寫入速度比nor快很多。

● nand的4ms擦除速度遠比nor的5ms快。

● 大多數寫入操作需要先進行擦除操作。

● nand的擦除單元更小,相應的擦除電路更少。

nor flash帶有sram介面,有足夠的位址引腳來定址,可以很容易地訪問其內部的每乙個位元組。

nand器件使用複雜的i/o口來序列地訪問資料,各個產品或廠商的方法可能各不相同。8個引腳用來傳送控制、位址和資料資訊。

nand讀和寫操作採用512位元組的塊,這一點有點像硬碟管理此類操作,很自然地,基於nand的儲存器就可以取代硬碟或其他塊裝置。

儲存器件的分類及區別

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