防反接電路解析

2021-09-08 20:56:46 字數 1102 閱讀 7797

1、通常情況下直流電源輸入防反接保護是利用二極體的單向導電性來實現放反接保護。如下圖所示:

這種解法簡單可靠適合小電流電路。當輸入電流比較大的時候,此電路消耗功耗嚴重,例如:輸入2a的電流,二極體的壓降為0.7v,則消耗的功率為pd=2a * 0.7v=1.4w,這樣效率低,發熱量大,需要加散熱器。

2、用二極體整流橋對輸入做整流:那樣雖然輸入部分正負,但是大電流時,消耗的功耗是上圖的2倍,2.8w。下圖所示:

3、mos管型防反接保護電路

利用mos管的開關特性,控制電路的導通和斷開來設計防反接保護電路,由於功率mos管的內阻很小,現在mosfet rds(on)已經能夠做到毫歐級,解決了現有採用二極體防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。

極性反接保護將保護場效電晶體與被保護電路串聯連線。保護用場效電晶體與pmos場效電晶體或nmos場效電晶體。一旦被保護電路的電源極性反接,保護用場效電晶體會形成斷路,防止電流燒毀電路中的場效電晶體元件,保護整體電路。

n溝道mos管通過s管腳和d管腳串接與電源和負載之間,r1為mos管提供偏置電壓,利用mos管的開關特性控制電路的導通和斷開,從而防止電源反接給負載帶來損壞。正接時候,r1挺高vgs電壓,mos飽和導通。反接的時候,mos不能導通,所以起到防反接作用。功率mos管的rds(on)只有20毫歐實際損耗很小,2a的電流,功耗為0.08w根本不用外加散熱片。解決了現有採用二極體電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。

vz1為穩壓管防止柵極電壓過高擊穿mos管。nmos的導通電阻比pmos的小,最好選擇nmos。

MOS管防反接電路

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