（1）原理介紹：
flash即是儲存晶元的一種，其結合了rom和ram的特點，既具備電可擦除程式設計的效能，又可以快速讀取資料，資料不會因斷電丟失。目前市面上flash主要有nor flash和nand flash。
nor flash具有隨機訪問和隨位元組執行寫操作的能力，即可以訪問到儲存器內部的任意乙個位元組，且具有讀取速度快等特點，它佔據1mb—16mb快閃儲存器的大部分市場，根據其讀取資料速度快的特點主要應用在**儲存；
nand flash以「頁」為單位進行對資料的讀寫操作，且具有寫入和擦除速度快等特點，它應用在8mb—256mb的產品中，根據其特點主要應用在資料儲存上。
hy27uf081g2a的nand flash晶元為例，其匯流排寬度為8bit，總記憶體大小為1gbit（即128mb），共分為1024塊（block），每塊又分為64頁（page），每頁共2kb(main memory)+64b(spare memory)，main memory用來存放資料，spare memory用來標記已壞的塊區和儲存對main memory的ecc校驗碼等（正常情況下不用）。（2）檔案系統
檔案系統的移植
（3）壞塊管理
（4）操作使用
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