理想二極體的特性與簡單開關的特性近似符合，除了乙個非常重要的方面，即理想二極體只能單嚮導通。
理想二極體再導通區域認為是短路的，而在非導通區域認為是開路的。
半導體是一種傳到效能介於良導體和絕緣體之間的材料。
原子鍵是通過與相鄰原子共享電子形成的，稱為共價鍵。
溫度的公升高可以引起半導體材料中自由電子數目的大幅度增加。
電子工業中使用的大部分半導體材料具有負溫度係數，即阻抗隨溫度的公升高而下降。
本徵材料是具有很低摻雜的半導體，而摻雜半導體是經過殘雜過程的半導體。
n型半導體是通過新增具有5個價電子的施主原子形成較高自由電子濃度而夠成的，在n型材料中，電子是多數載流子，空穴是少數載流子。
p型半導體是通過新增具有3個價電子的受主原子形成較高空穴濃度而構成的，在p型材料中，電子是多數載流子，電子是少數載流子。
二極體靠近p-n結的區域具有很少的載流子，成為耗盡層。
不加外部偏置電壓時，二極體電流為0.
在二極體正偏區域，電流隨外加電壓的增加成指數形式增加。
在二極體反偏區域，電流是非常小的反向飽和電流。直到發生齊納擊穿時，電流將反向流過二極體。
反向飽和電流is將大約隨溫度每10倍的增長而加倍。
二極體的直流電阻由特性曲線上某點的電壓和電流之比確定，對曲線形狀不敏感，直流電阻隨二極體電壓或電流的公升高而降低。
二極體的交流電阻對曲線在研究區域的形狀很敏感，再二極體電流或電壓處於高等級時，其交流電阻將下降。
矽二極體的閾值電壓為0.7v，而鍺二極體的閾值電壓為0.3v。
二極體的最大功率損耗等級與二極體電壓和電流的乘機相等。
二極體的電容隨正偏電壓的增加成指數形式增加，在反偏區域時處於最低水平。
齊納二極體的導通方向與二極體符號的箭頭方向相反，錢電壓的極性與正偏二極體電壓的極性相反。
第一章小結
第一章 本章介紹了c 程式的基本結構，以及程式的基本語法單位 字 詞和表示式構成的語法規則。程式的主要功能是描述資料和處理資料.資料表現為常量和變數。常量是程式執行中不能改變的量，包括常數和存放在記憶體單元中的標識常量。變數是可改寫的記憶體單元中的標識。所有常量 變數都屬於某種資料型別。型別決定了資...
第一章 1 14 異常捕獲
程式在執行過程中的報錯就叫異常 1.使用異常捕獲的場景 在知道某個位置可能會出現異常,但開發者無法控制時使用 2.捕獲異常 捕獲任何異常 try 塊一 可能出現異常的 except 塊二 對異常進行處理 finally 塊三 其他語句 捕獲針對異常 try 塊一 可能出現異常的 except 異常型...
《CSAPP》第一章小結
從乙個hello.c程式講起。hello.c經過預處理把頭檔案的內容插入程式中變成hello.i。hello.i經過編譯器處理轉為組合語言版本的hello.s,hello.s經過彙編器處理變為二進位制的hello.o,並且經過鏈結printf.o變為可執行程式。執行是經過把本地磁碟的可執行的hell...