目錄
1. 儲存器種類
2. ram儲存器
2.1 dram
2.2 sram
2.3 dram 與 sram的應用場合
3. 非易失性儲存器
3.1 rom儲存器
3.2 flash 儲存器
儲存器是計算機結構的重要組成部分。儲存器是用來儲存程式**和資料的部件，有了儲存器計算機才具有記憶功能。儲存器按其儲存介質特性主要分為「易失性儲存器」和「非易失性儲存器」兩大類。其中的「易失/非易失」是指儲存器斷電後，它儲存的資料內容是否會丟失的特性。由於一般易失性儲存器訪問速度快，而非易失性儲存器可長期儲存資料，它們都在計算機中佔據著重要角色。在計算機中易失性儲存器最典型的代表是記憶體，非易失性儲存器的代表則是硬碟。
ram是「random access memory」的縮寫，被譯為隨機儲存器。所謂「隨機訪問」，指的是當儲存器中的訊息被讀取或寫入時，所需要的時間與這段資訊所在的位置無關。早期計算機儲存器（磁鼓）順序讀寫裝置，讀寫時間因位置差異。ram可隨讀取其內部任意位址的資料，時間都是相同的，因此得名。實際上現在ram已經專門用於指代作為計算機記憶體的易失性半導體儲存器。
根據ram的儲存機制，又分為動態隨機儲存器dram(dynamic ram)以及靜態隨機儲存器sram(static ram)兩種。
動態隨機儲存器dram的儲存單元以電容的電荷來表示資料，有電荷代表1，無電荷代表0。但時間一長，代表1的電容會放電，代表0的電容會吸收電荷，因此它需要定期重新整理操作，這就是「動態(dynamic)」一詞所形容的特性。重新整理操作會對電容進行檢查，若電量大於滿電量的1/2，則認為其代表1，並把電容充滿電；若電量小於1/2，則認為其代表0，並把電容放電，藉此來保證資料的正確性。
根據dram的通訊方式，又分為同步和非同步兩種，這兩種方式根據通訊時是否需要使用時鐘訊號來區分。下圖是一種利用時鐘進行同步的通訊時序，它在時鐘的上公升沿表示有效資料。
由於使用時鐘同步的通訊速度更快，所以同步dram使用更為廣泛，這種dram被稱為sdram(synchronous dram)。
為了進一步提高sdram的通訊速度，人們設計了ddr sdram儲存器(double data rate sdram)。它的儲存特性與sdram沒有區別，但sdram只在上公升沿表示有效資料，在1個時鐘週期內，只能表示1個有資料；而ddr sdram在時鐘的上公升沿及下降沿各表示乙個資料，也就是說在1個時鐘週期內可以表示2資料，在時鐘頻率同樣的情況下，提高了一倍的速度。至於ddrii和ddriii，它們的通訊方式並沒有區別，主要是通訊同步時鐘的頻率提高了。
當前個人計算機常用的記憶體條是ddriii sdram儲存器，在乙個記憶體條上包含多個ddriii sdram晶元。
靜態隨機儲存器sram的儲存單元以鎖存器來儲存資料，見下圖 。這種電路結構不需要定時重新整理充電，就能保持狀態(斷電資料還是會丟失的)，所以這種儲存器被稱為「靜態(static)」ram。
同樣地，sram根據其通訊方式也分為同步(ssram)和非同步sram，由於同步sram用得比較多，一般說sram就是直接指代ssram。
對比dram與sram的結構，可知dram的結構簡單得多，所以生產相同容量的儲存器，dram的成本要更低，且整合度更高。而dram中的電容結構則決定了它的訪問速度不如sram，特性對比見表。所以在實際應用場合中，sram一般只用於cpu內部的快取記憶體(cache)，而外部擴充套件的記憶體一般使用dram。
dram與 sram對比 特性
dram
sram
訪問速度
較慢較快
集中度較高
較低生產成本
較低較高
是否需要重新整理是否
非易失性儲存器種類非常多，半導體類的有rom和flash，而其它的則包括光碟、軟盤及機械硬碟。
rom是「read only memory」的縮寫，意為只能讀的儲存器。由於技術的發展，後來設計出了可以方便寫入資料的rom，而這個「read only memory」的名稱被沿用下來了，現在一般用於指代非易失性半導體儲存器，包括後面介紹的flash儲存器，有些人也把它歸到rom類裡邊。
mask(掩膜) rom就是正宗的「read only memory」，儲存在它內部的資料是在出廠時使用特殊工藝固化的，生產後就不可修改，其主要優勢是大批量生產時成本低。當前在生產量大，資料不需要修改的場合，還有應用。
otprom(one time programable rom)是一次可程式設計儲存器。這種儲存器出廠時內部並沒有資料，使用者可以使用專用的程式設計器將自己的資料寫入，但只能寫入一次，被寫入過後，它的內容也不可再修改。在nxp公司生產的控制器晶元中常使用otprom來儲存金鑰；stm32f429系列的晶元內部也包含有一部分的otprom空間。
eprom(erasable programmable rom)是可重複擦寫的儲存器，它解決了prom晶元只能寫入一次的問題。這種儲存器使用紫外線照射晶元內部擦除資料，擦除和寫入都要專用的裝置。現在這種儲存器基本淘汰，被eeprom取代。
eeprom(electrically erasable programmable rom)是電可擦除儲存器。eeprom可以重複擦寫，它的擦除和寫入都是直接使用電路控制，不需要再使用外部裝置來擦寫。而且可以按位元組為單位修改資料，無需整個晶元擦除。現在主要使用的rom晶元都是eeprom。
flash儲存器又稱為快閃儲存器，它也是可重複擦寫的儲器，部分書籍會把flash儲存器稱為flash rom，但它的容量一般比eeprom大得多，且在擦除時，一般以多個位元組為單位。如有的flash儲存器以4096個位元組為扇區，最小的擦除單位為乙個扇區。根據儲存單元電路的不同，flash儲存器又分為nor flash和nand flash。
由於nor的位址線和資料線分開，它可以按「位元組」讀寫資料，符合cpu的指令解碼執行要求，所以假如nor上儲存了**指令，cpu給nor乙個位址，nor就能向cpu返回乙個資料讓cpu執行，中間不需要額外的處理操作。
而由於nand的資料和位址線共用，只能按「塊」來讀寫資料，假如nand上儲存了**指令，cpu給nand位址後，它無法直接返回該位址的資料，所以不符合指令解碼要求。。表 中的最後一項「是否支援xip」描述的就是這種立即執行的特性(execute in place)。
若**儲存在nand上，可以把它先載入到ram儲存器上，再由cpu執行。所以在功能上可以認為nor是一種斷電後資料不丟失的ram，但它的擦除單位與ram有區別，且讀寫速度比ram要慢得多。
，flash的擦除次數都是有限的(現在普遍是10萬次左右)，當它的使用接近壽命的時候，可能會出現寫操作失敗。由於nand通常是整塊擦寫，塊內有一位失效整個塊就會失效，這被稱為壞塊，而且由於擦寫過程複雜，從整體來說nor塊塊更少，壽命更長。由於可能存在壞塊，所以flash儲存器需要「探測/錯誤更正(edc/ecc)」演算法來確保資料的正確性。
由於兩種flash儲存器特性的差異，nor flash一般應用在**儲存的場合，如嵌入式控制器內部的程式儲存空間。而nand flash一般應用在大資料量儲存的場合，包括sd卡、u盤以及固態硬碟等，都是nand flash型別的。
儲存器（一） 概述
一 儲存器的分類 儲存器分類的標準很多 我們主要看看按儲存介質 儲存方式和在計算機中的作用分類。1 按儲存介質 1 半導體儲存器 ttl transistor transistor logic 電晶體 和mos metal oxide semiconductor金屬氧化物半導體 ttl 特點 整合度...
5 1虛擬儲存器概述
1.常規儲存器管理不足的原因 2.區域性性原理 1 程式在執行時將呈現出區域性性規律 在一較短的時間內程式的執行僅侷限於某個部分 相應地，所訪問的儲存空間也侷限於某個區域。2 程式執行的特點 時間區域性性 temporal locality 被引用過一次的儲存器位置很可能在不遠的將來再被多次引用。空...
常用儲存器
根據掉電資料是否會丟失分為易失性儲存器和非易失性儲存器 易失性儲存器 掉電資料會丟失。如xram sram等。雖然掉電資料會丟失，當時它讀寫速度相對較快。非易失性儲存器 掉電資料不會丟失，如spi flash eeprom等。雖然掉電資料不會丟失，當時它讀寫速度相對較慢。dram以電容的電荷來表示資...