目錄5.ram
6.rom
ram：隨機訪問儲存器
rom：唯讀儲存器
馮諾依曼結構計算機效能瓶頸：運算器速度按儲存介質：演變為以儲存器為中心
按訪問方式分
按在計算機中的作用分類
儲存器
├── 主儲存器
│ ├── ram
│ │ ├── 靜態ram (sram)
│ │ └── 動態ram（dram）
│ ├── r0m
│ │ ├── mrom
│ │ ├── prom 可程式設計
│ │ ├── eprom 可擦寫程式設計
│ │ └──eeprom 電可擦寫程式設計
├── flash memory 快閃儲存器：ssd
├── 高速緩衝儲存器：cache
└──輔助儲存器
快取-主存和主存-輔存
基本組成：
主存與cpu關係：
mar與mdr現在多整合在cpu中
主存中儲存單元位址分配（編址）：
主存技術指標
儲存器頻寬： 單位時間內讀寫資料量（位/秒）
示意圖：
例：用16k*1位的儲存晶元組成64k*8位的儲存器，需要的個數：
需要8/1*64/16=32片
解碼：編碼—>資料（二進位制—>十進位制）
線選法：
重合法：
隨機訪問儲存器
靜態ram，使用觸發器儲存0,1基本電路：(六管靜態ram)
讀寫操作：根據電路分析
寫操作：
例：intel2114晶元 （64*64）
動態ram，通過電容儲存0,1基本單元電路：
單管dram
dram重新整理：（電容易丟失）
重新整理與行位址有關，以128*128為例
按行重新整理，要重新整理128次(2ms內)
重新整理時間必須小於柵極電容自然保持資訊的時間（小於2ms）
唯讀儲存器，儲存系統資料和配置資訊發展：
唯讀—>使用者可一次性寫—>可多次寫—>電可擦寫（專用裝置）—>電可擦寫（可連計算機）
分類：
計算機組成原理筆記 儲存器概述
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