磁儲存是已被使用數十年的儲存技術，但它的乙個問題是速度較低。瑞士研究人員報告說，找到了極大提高磁儲存速度的方法，有望讓計算機在不久的將來用上高速的磁記憶體，從而大大減少計算機啟動時間。
自從國際商用機器公司（ｉｂｍ）於１９５６年推出第乙個磁碟儲存器以來，磁儲存器因其長壽命和低成本的優勢，一直被用來儲存資訊，比如作為計算機的硬碟。傳統磁儲存器通過帶電線圈產生的磁場變化來改變儲存介質的磁性，從而實現儲存資訊，但其速度跟不上越來越快的計算機處理器，難以用作對速度要求高的記憶體。
瑞士蘇黎世聯邦理工大學材料系教授彼得羅·甘巴爾代拉領導的團隊在新一期英國《自然·奈米技術》雜誌上發表報告說，利用被稱為「自旋軌道轉矩」的物理現象，可以不用通電線圈，僅用通電的特殊半導體薄膜材料就能改變儲存介質的磁性，從而實現磁儲存。
該團隊用新方法改變了乙個直徑約５００奈米的鈷金屬點的磁性，發現在給其附近的導線通電後，在不到１納秒的時間內，鈷金屬點的磁性就發生了改變。並且鈷金屬點可如此反覆經歷上萬億次的磁性變化，說明它可成為高速且耐用的儲存介質。與傳統線圈方式的磁儲存器相比，新方法不僅速度快，還不會因為線圈的電阻而消耗能量，能效更高。
研究人員說，這一新技術有望讓計算機的記憶體用上磁儲存器。目前許多計算機的記憶體採用電儲存器，關機斷電後記憶體中的資訊就會被清空，因此重新開機時需要較長時間。而磁儲存可以在斷電後仍然保留資料，因此如果計算機用上磁記憶體，有望大大減少開機啟動的時間。
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