國內把半導體技術作為重點來抓，首先要突破的是3d nand快閃儲存器，這方面主要是長江儲存科技在做，而在晶元製造工藝方面，國內比intel、三星、tsmc落後的更多，這方面追趕還得看smic中芯國際。日前中芯國際ceo邱慈雲表態今年晚些時候會投資研發7nm工藝，不過他並沒有給出國產7nm工藝問世時間，考慮到14nm工藝目標定在2018-2023年左右，估計國產的7nm工藝至少也得在2023年之後了。
中芯國際是國內最先進的半導體代工廠，2023年營收29億美元，同比增長30%，不過與全球晶圓代工一哥tsmc台積電差距還是相當大的，後者去年營收約為300億美元，半導體工藝更是領先——tsmc早就量產16nm finfet工藝了，今年還會量產10nm工藝，simc目前最先進的工藝還是28nm，主力工藝還是40nm、55nm等。
2023年比利時國王訪華時，中比雙方簽署了一系列合作協議，其中一條就是中芯國際、華為、高通與比利時微電子中心imec合作研發14nm finfet工藝，預計會在2023年之前達成《國家積體電路產業發展推進綱要》提出的16/14奈米工藝實現規模量產的目標。
中芯國際從28nm直接進入14nm，跳過了20nm節點，未來也很有可能跳過10nm節點，直接進入7nm節點。該公司ceo邱慈雲博士日前對外表態稱今年晚些時候會投入r&d研發資金開發7nm工藝，他還提到近年來中芯國際加大了研發投入力度，r&d投資佔據公司12-13%的營收，2023年資本支出也創紀錄地達到了27億美元。
邱博士並沒有提到國內7nm工藝的具體情況，目前看來只是開始投入研發資金，這一點上要比intel、三星gf、tsmc早幾年就研發7nm工藝要晚得多，不過他們依然是全球第五家表態研發7nm工藝的半導體公司，隨著製程工藝越來越先進，全球有能力研發新工藝的晶圓廠越來越少。
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