STM32L0 內部EEPROM寫讀

stm32l0內部的eeprom寫操作由解鎖，寫入，加鎖過程組成，讀過程則無需解鎖。至於stm32l0內部的非易失空間區分為flash和eeprom，主要體現在用st-link等工具進行整片擦除時，只擦除flash的空間，eeprom的部分不會被擦除，如同外部eeprom晶元，mpu的**公升級不影響eeprom的內容。後面以內部eeprom的寫讀作為範例。

//stm32l031k6t6

#define eeprom_base_addr 0x08080000
#define eeprom_byte_size 0x03ff

//byte write

void eeprom_write(uint16_t biasaddress, uint8_t *data, uint16_t len)
}

對於寫過程，需要將寫入的資料，讀回做比較。

對於讀過程，需要將兩次讀回的資料，進行比較。

如果比較正確，則操作完成。

如果錯誤，可重新進行寫或讀操作，並在設定的重新操作次數範圍內，進行重新操作識別，如果正確，則報告正確，如果錯誤，則報告錯誤。

設定重複校驗次數

#include #define ieeprom_check_num 2

hal_statustypedef eeprom_write_w_check(uint16_t biasaddress, uint8_t *data, uint16_t len)

/* return the erase status */
return status;
}

-end-

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