半導體儲存器分類
如上是儲存器的分類，唯讀儲存器中，除了e2prom（電訊號可程式設計可擦除rom），還有乙個是eprom（可擦除的可程式設計rom），指的其實是uve-prom（用紫外線擦除的可程式設計rom。）
prom：programmable read-only memory
eprom：erasable programmable read-only memory
e2prom：electrically erasable programmable read-only memory
uve-prom：ultra-violet electrically erasable programmable read-only memory
1、靜態隨機儲存器（sram）
英文全稱是：static random-access memory，簡稱sram。
sram結構，通常由儲存矩陣、位址解碼器和讀/寫控制電路三部分組成。
位址解碼器分為行位址解碼器和列位址解碼器。
2、動態隨機儲存器（dram）
英文全稱是：dynamic random-access memory，簡稱dram。
dram的動態儲存單元是利用mos電容可以儲存電荷的原理製成的，在大容量、高整合度的ram中得到普遍的應用，dram是大容量ram的主流產品。
因為mos電容容量小，漏電流也不可能絕對為0，所以電荷保持的時間有限，必須定時給電容補充電荷，這種操作叫做重新整理或再生。
dram結構，儲存矩陣、位址解碼器、讀寫控制電路和重新整理控制電路組成。
輸出快取器的作用：一是能提高儲存器的帶負載能力，二是對輸出狀態的三態控制，以便於系統的匯流排連線。
快閃儲存器（flash memory）快閃儲存器的結構和eprom極為相似，最大的區別是gf（浮置柵）和襯底的氧化層厚度不一樣。eprom中，氧化層厚度在30-40nm，快閃儲存器中僅為10-15nm，gc是控制柵。
讀出狀態：字線給出+5v的邏輯高電平，vss為0電平。如果gf上沒有充電，則mos管導通，位線上輸出低電平；如果gf充有負電荷，則mos管關閉，位線上輸出高電平。
寫入方法：mos管的d極經過位線接至乙個較高的正電壓（一般為6v），vss接0電平，同時在控制柵gc加乙個12v左右、寬度約10us的正脈衝，這時d-s之間發生雪崩擊穿，一部分速度高的電子穿過氧化層到達gf，形成gf充電電荷。gf充電之後，mos管的開啟電壓為7v以上，字線為正常的邏輯高電平它不會導通。
1、位擴充套件
2、字擴充套件
數位電路7 半導體儲存器
7.2 唯讀儲存器 rom 7.3 隨機儲存器 ram 半導體儲存器是一種能儲存大量二值資訊 或稱為二值數 據 的半導體器件。矛盾 儲存單元數目龐大，而器件引腳數目有限。解決 儲存單元編址，被選定儲存單元通過公共輸入 輸出 引腳進行資料讀出或寫入。rom可分為掩模rom 可程式設計rom progr...
半導體儲存器
半導體儲存器按存 取功能可分為唯讀儲存器 read only memory,rom 和隨機儲存器 random access memory,ram rom的優點是電路結構簡單，而且在斷電後資料不會丟失 缺點是只適用於儲存那些固定資料的場合。rom又包含掩模rom 可程式設計rom prom 和可擦除...
半導體儲存器
半導體儲存器由許多儲存單元組成，每個儲存單元都以其唯一的位址 加以區分，能儲存一位二進位制資訊。順序儲存器 sequential access memory,sam 讀寫操作為 先進先出 或 先進後出 按順序進行，侷限性大。隨機訪問儲存器 radom access memory,ram 在正常工作狀...