返回目錄《計算機組成原理筆記目錄（2019 王道考研）》
3.2 半導體儲存器ram（random access memory，ram）
易失性的儲存器
1.半導體儲存晶元的基本結構
2.半導體隨機訪問儲存器
1.sram（static random access memory）
需要同時送行列位址
觸發器實現
2.dram（dynamic random access memory）
分兩次送行列位址
電容實現
3.dram的重新整理
1.多久需要重新整理一次
重新整理周期：一般為2ms
2.每次重新整理多少儲存單元
以行為單位，每次重新整理一行儲存單元
--為什麼要用行列位址？
當位址位數很大的時候，選通線的個數是無法忍受的
把儲存單元排列成矩陣的形式，將一維排列變成二維排列
原來是乙個號碼選通乙個單元，現在是乙個座標選通乙個單元
儲存單元排列成2^(n/2)*2^(n/2)的矩陣（行列位址位數相同）
把位址拆分為行列位址
把原來的解碼器分成行位址解碼器和列位址解碼器
原來需要2^n根線，現在需要2^(n/2+1)根線，大大減少了線的數量
原來只能選中乙個儲存單元，現在可以選中一行儲存單元
3.如何重新整理
有硬體支援，讀出一行的資訊後重新寫入，占用1個讀/寫週期
4.在什麼時候重新整理（重新整理就是重新寫入）（重點）
1.不需要cpu控制
2.以行為單位
3.整個儲存器的所有晶元的同一行同時進行重新整理
多個晶元時，不要分開計算
4.重新整理方式
1.分散重新整理
乙個儲存週期之後，重新整理一行
2.集中重新整理
3.非同步重新整理（掌握非同步重新整理的時間間隔如何計算）
4.sram的讀週期（不是很準確，要看書）
要理解延遲開始和延遲結束的理念，以及理解儲存週期為什麼有恢復時間
5.sram的寫週期（不是很準確，要看書）
6.本節總結
半導體儲存器 RAM和ROM
dram的重新整理 sram的讀週期 注 cs代表片選線，上面有橫線表示低電平有效。0 1的訊號通過位址線傳過來後不能馬上讀取，因為都是通過不同的線傳過來的，速度不一，如果馬上讀取會讀取到乙個不穩定的位址，所以要隔一小段時間再接通片選線，接通片選線後從儲存距陣獲取資料也是需要時間的，所以不能立馬斷開...
半導體儲存器
半導體儲存器按存 取功能可分為唯讀儲存器 read only memory,rom 和隨機儲存器 random access memory,ram rom的優點是電路結構簡單，而且在斷電後資料不會丟失 缺點是只適用於儲存那些固定資料的場合。rom又包含掩模rom 可程式設計rom prom 和可擦除...
半導體儲存器
半導體儲存器由許多儲存單元組成，每個儲存單元都以其唯一的位址 加以區分，能儲存一位二進位制資訊。順序儲存器 sequential access memory,sam 讀寫操作為 先進先出 或 先進後出 按順序進行，侷限性大。隨機訪問儲存器 radom access memory,ram 在正常工作狀...