基礎常識：儲存器中的最小儲存單位是儲存位元，而非儲存單元
，儲存單元是由若干個儲存位元構成，而儲存位元是一段二進位制的**位，儲存器是由若干個儲存單元構成。
分類：3. 儲存器分級：
分為高速緩衝儲存器（cache），主儲存器，外儲存器。
cache特點：速度快，容量小的半導體儲存器。
主儲存器特點：與cache相比，訪問速度慢但是容量較大，與cache交換資料和指令，主要由mos半導體儲存器組成。
外儲存器特點：簡稱外存，是大容量輔助儲存器，容量大，位成本低。
多級儲存管理的意義及作用：用cache與cpu的運算速度盡可能的匹配，使其訪問速度跟上cpu；使用外存強調大的儲存容量，滿足計算機的大量資料等訪問；而使用主存介於兩者之間，選取適當的訪問週期和儲存容量。
4.相關的技術指標
謹記：位元組的範圍比字要大，一般來說，乙個字(1 word)=兩個位元組（2 byte）=16位二進位制數字（16 bit）
儲存器頻寬 = 儲存寬度/儲存週期
集中式重新整理：dram的所有行在乙個重新整理周期內都會被重新整理。前一段時間讀寫，後一段時間集中重新整理。存在死區，可計算死區時間和概率。
分布式重新整理：dram的每一行的重新整理都會被插入到正常的讀寫操作中。過多次數的讀寫與重新整理，容易損耗硬體
非同步重新整理：是前兩種重新整理方式的結合，既提高了速度，又增加了硬體壽命。
介紹： 在n * m位晶元中，n代表字儲存容量，m為字長位數。其中n應該是2的冪次集，如 n = 1k = 2^10(代表有10根位址線)，而m為位數，一般為2，4，8，16。
位擴充套件：例如用1k * 4位晶元擴充套件成1k * 8位的儲存器，可使用位擴充套件，要求後面的字長位數的商為整數（即8/4為整數）
字擴充套件：例如用1k * 4位晶元擴充套件成2k * 4位的儲存器，可使用字擴充套件，要求前面的儲存容量的商為整數（即2/1為整數）
字位擴充套件：例如用1k * 4位晶元擴充套件成2k * 8位的儲存器，可使用字位擴充套件，要求前後的商都要為整數（即2/1 和 8/4為整數）
重點：
位擴充套件的晶元是採用併聯方式連線，主要解決頻寬不足的問題；
字擴充套件的晶元是採用串聯方式連線，主要解決容量不足的問題。
併聯所指的是三併聯：讀寫，控制，資料三種線分別併聯，而片選訊號是與解碼器相連。
字位擴充套件是先位擴充套件後字擴充套件———先確定幾個晶元一組，再確定有幾組晶元。
例如用1k * 4位晶元擴充套件成4k * 8位的儲存器
先進行位擴充套件：8/4 = 2 （片）併聯
而單個晶元是1k = 2^10b，需要10根資料線確定儲存單位位址，所以共需要10+2=12跟線即可。但4k的儲存區對應的cpu可提供2^4=16跟位址線。兩者不衝突。
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